[發明專利]基于微動元調制 GaN HEMT 溝道電流的紅外探測器

有效

• 申請號: 201210130399.6
• 申請日: 2012-04-27
• 公開（公告）號: CN102636261A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發明（設計）人: 朱彥旭;曹偉偉;郭偉玲;徐晨
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: G01J1/42
• 分類號: G01J1/42
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 劉萍

1.一種基于微動元調制GaN?HEMT溝道電流的紅外探測器，其特征在于：所述探測器的結構依次包括：GaN/AlGaN?HEMT器件，微動元件，光波吸收輔助層，充氣腔，襯底，吸收光波氣體，窗口層；微動元件與HEMT溝道連接，充氣腔內的吸收光波氣體和光波吸收輔助層吸收光波后，發生形變，推動微動元件位移，微動元件的位移誘導GaN?HEMT溝道電流變化，使光波信號轉變成電信號被探測。

2.如權利要求1所述的一種基于微動元調制GaN?HEMT溝道電流的探測器，其特征應包括：所述的微動元件是微動隔膜或懸臂梁。

3.如權利要求1所述的一種基于微動元調制GaN?HEMT溝道電流的探測器，其特征應包括：所述光波吸收輔助層包括充氣腔側壁的光波反射層和充氣腔頂部的吸能薄膜。

4.如權利要求1所述的一種基于微動元調制GaN?HEMT溝道電流的探測器，其特征應包括：所述吸收光波氣體是氟乙烯氣體。