[發(fā)明專利]靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210130387.3
• 申請日: 2012-04-28
• 公開（公告）號(hào): CN103378087A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡勇海;代萌;林忠瑀;汪廣羊
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L21/82
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底，具有第一導(dǎo)電類型；

阱區(qū)，設(shè)于所述襯底內(nèi)，具有第二導(dǎo)電類型；

襯底接觸區(qū)，設(shè)于所述襯底內(nèi)，具有所述第一導(dǎo)電類型；

阱區(qū)接觸區(qū)，設(shè)于所述阱區(qū)內(nèi)，具有所述第二導(dǎo)電類型；

襯底反摻雜區(qū)，設(shè)于所述襯底內(nèi)，且位于所述襯底接觸區(qū)和阱區(qū)接觸區(qū)之間，具有所述第二導(dǎo)電類型；

阱區(qū)反摻雜區(qū)，設(shè)于所述阱區(qū)內(nèi)，且位于所述襯底接觸區(qū)和阱區(qū)接觸區(qū)之間，具有所述第一導(dǎo)電類型；

連通區(qū)，設(shè)于所述襯底和阱區(qū)的橫向交界處，且設(shè)于所述襯底反摻雜區(qū)和阱區(qū)反摻雜區(qū)之間，直接接觸所述襯底和阱區(qū)；

第一隔離區(qū)，設(shè)于所述襯底內(nèi)，且處于所述襯底反摻雜區(qū)和連通區(qū)之間；

第二隔離區(qū)，設(shè)于所述阱區(qū)內(nèi)，且處于所述阱區(qū)反摻雜區(qū)和連通區(qū)之間；

氧化層，靠近所述連通區(qū)設(shè)置，所述氧化層一端設(shè)于所述第一隔離區(qū)上，另一端設(shè)于所述襯底上；或所述氧化層一端設(shè)于所述第二隔離區(qū)上，另一端設(shè)于所述阱區(qū)上；所述氧化層不與所述連通區(qū)直接接觸；

場板結(jié)構(gòu)，設(shè)于所述氧化層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型是p型，所述第二導(dǎo)電類型是n型，所述連通區(qū)具有n型導(dǎo)電類型，所述氧化層一端設(shè)于所述第一隔離區(qū)上，另一端設(shè)于所述襯底上，所述靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)還包括陽極引線和陰極引線，所述陽極引線電性連接所述阱區(qū)反摻雜區(qū)和阱區(qū)接觸區(qū)，所述陰極引線電性連接所述襯底接觸區(qū)、襯底反摻雜區(qū)和場板結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型是p型，所述第二導(dǎo)電類型是n型，所述連通區(qū)具有p型導(dǎo)電類型，所述氧化層一端設(shè)于所述第二隔離區(qū)上，另一端設(shè)于所述阱區(qū)上，所述靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)還包括陽極引線和陰極引線，所述陽極引線電性連接所述阱區(qū)反摻雜區(qū)、阱區(qū)接觸區(qū)及場板結(jié)構(gòu)，所述陰極引線電性連接所述襯底接觸區(qū)和襯底反摻雜區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型是n型，所述第二導(dǎo)電類型是p型，所述連通區(qū)具有p型導(dǎo)電類型，所述氧化層一端設(shè)于所述第一隔離區(qū)上，另一端設(shè)于所述襯底上，所述靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)還包括陽極引線和陰極引線，所述陽極引線電性連接所述襯底接觸區(qū)、襯底反摻雜區(qū)及場板結(jié)構(gòu)，所述陰極引線電性連接所述阱區(qū)反摻雜區(qū)和阱區(qū)接觸區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型是n型，所述第二導(dǎo)電類型是p型，所述連通區(qū)具有n型導(dǎo)電類型，所述氧化層一端設(shè)于所述第二隔離區(qū)上，另一端設(shè)于所述阱區(qū)上，所述靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)還包括陽極引線和陰極引線，所述陽極引線電性連接所述襯底接觸區(qū)和襯底反摻雜區(qū)，所述陰極引線電性連接所述阱區(qū)反摻雜區(qū)、阱區(qū)接觸區(qū)及場板結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述場板結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為多晶硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一隔離區(qū)和第二隔離區(qū)為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

8.一種靜電釋放保護(hù)結(jié)構(gòu)的制造方法，包括下列步驟：

提供襯底，所述襯底具有第一導(dǎo)電類型；

在所述襯底內(nèi)形成第一隔離區(qū)和第二隔離區(qū)；

通過離子注入在所述襯底內(nèi)形成具有第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)，所述第一隔離區(qū)處于所述襯底內(nèi)，所述第二隔離區(qū)處于所述阱區(qū)內(nèi)；

通過熱氧化形成氧化層，所述氧化層一端設(shè)于所述第一隔離區(qū)上，另一端設(shè)于所述襯底上；或所述氧化層一端設(shè)于所述第二隔離區(qū)上，另一端設(shè)于所述阱區(qū)上；

通過淀積在所述氧化層上形成場板結(jié)構(gòu)；

通過離子注入在所述襯底和阱區(qū)內(nèi)形成接觸區(qū)、反摻雜區(qū)及連通區(qū)，所述接觸區(qū)包括設(shè)于所述襯底內(nèi)、具有所述第一導(dǎo)電類型的襯底接觸區(qū)，設(shè)于所述阱區(qū)內(nèi)、具有所述第二導(dǎo)電類型阱區(qū)接觸區(qū)；所述反摻雜區(qū)包括設(shè)于所述襯底內(nèi)且位于所述襯底接觸區(qū)和阱區(qū)接觸區(qū)之間、具有所述第二導(dǎo)電類型的襯底反摻雜區(qū)，設(shè)于所述阱區(qū)內(nèi)且位于所述襯底接觸區(qū)和阱區(qū)接觸區(qū)之間、具有所述第一導(dǎo)電類型阱區(qū)反摻雜區(qū)；所述連通區(qū)設(shè)于所述襯底和阱區(qū)的橫向交界處，且設(shè)于所述襯底反摻雜區(qū)和阱區(qū)反摻雜區(qū)之間，直接接觸所述襯底和阱區(qū)。