[發明專利]半導體裝置及電子設備有效
| 申請號： | 201210130042.8 | 申請日： | 2008-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN102646698A | 公開（公告）日： | 2012-08-22 |
| 發明（設計）人： | 大沼英人;飯洼陽一;山本孔明;牧野賢一郎;下村明久;比嘉榮二;溝井達也;永野庸治;井坂史人;掛端哲彌;山崎舜平 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/04 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 張金金;盧江 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 電子設備 | ||
1.一種半導體裝置，包括：
絕緣襯底上的絕緣層；
所述絕緣層上的接合層；以及
所述接合層上的單晶半導體層，
其中，所述單晶半導體層的上部表面的凹凸形狀的均方根粗糙度為大于或等于1nm且小于或等于10nm。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述絕緣層包含氧氮化硅膜或氮氧化硅膜。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述單晶半導體層具有(100)面作為主表面。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述單晶半導體層具有(110)面作為主表面。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置，
其中，所述凹凸形狀的各凹部或凸部的寬度的平均值為大于或等于60nm且小于或等于120nm，
并且，所述各凹部或凸部的寬度是以平均高度測量的。
6.一種半導體裝置，包括：
絕緣襯底上的絕緣層；
所述絕緣層上的接合層；以及
所述接合層上的單晶半導體層，
其中，所述單晶半導體層的上部表面的凹凸形狀的最大高度差為大于或等于5nm且小于或等于250nm。
7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述絕緣層包含氧氮化硅膜或氮氧化硅膜。
8.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述單晶半導體層具有(100)面作為主表面。
9.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述單晶半導體層具有(110)面作為主表面。
10.根據權利要求6所述的半導體裝置，
其中，所述凹凸形狀的各凹部或凸部的寬度的平均值為大于或等于60nm且小于或等于120nm，
并且，所述各凹部或凸部的寬度是以平均高度測量的。
11.一種半導體裝置，包括：
容許溫度極限為700℃或以下的襯底；
所述襯底上的絕緣層；
所述絕緣層上的接合層；以及
所述接合層上的單晶半導體層，
其中，所述單晶半導體層的上部表面的凹凸形狀的均方根粗糙度為大于或等于1nm且小于或等于10nm。
12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中所述襯底為包含鋁硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃或鋇硼硅酸鹽玻璃中任何的玻璃襯底。
13.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中所述絕緣層包含氧氮化硅膜或氮氧化硅膜。
14.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中所述單晶半導體層具有(100)面作為主表面。
15.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中所述單晶半導體層具有(110)面作為主表面。
16.根據權利要求11所述的半導體裝置，
其中，所述凹凸形狀的各凹部或凸部的寬度的平均值為大于或等于60nm且小于或等于120nm，
并且，各凹部或各凸部的寬度是以平均高度測量的。
17.一種半導體裝置，包括：
容許溫度極限為700℃或以下的襯底；
所述襯底上的絕緣層；
所述絕緣層上的接合層；以及
所述接合層上的單晶半導體層，
其中，所述單晶半導體層的上部表面的凹凸形狀的最大高度差為大于或等于5nm且小于或等于250nm。
18.根據權利要求17所述的半導體裝置，其中所述襯底為包含鋁硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃或鋇硼硅酸鹽玻璃中任何的玻璃襯底。
19.根據權利要求17所述的半導體裝置，其中所述絕緣層包含氧氮化硅膜或氮氧化硅膜。
20.根據權利要求17所述的半導體裝置，其中所述單晶半導體層具有(100)面作為主表面。
21.根據權利要求17所述的半導體裝置，其中所述單晶半導體層具有(110)面作為主表面。
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