[發(fā)明專利]芯片排出方法及排出單元、芯片拾取方法及拾取裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210129941.6 | 申請日: | 2012-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN103258749A | 公開(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 許光鐵;李喜澈 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海金盛協(xié)力知識產(chǎn)權代理有限公司 31242 | 代理人: | 段迎春 |
| 地址: | 韓國忠清南道天安*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 排出 方法 單元 拾取 裝置 | ||
1.一種芯片排出方法,包括:
向下對整個切割帶進行真空吸附,分成至少一個芯片的晶片附接至所述切割帶,所述芯片具有邊緣區(qū)域和中心區(qū)域;
使得所述切割帶的與所述邊緣區(qū)域相對應的第一區(qū)域相對于其他區(qū)域抬起;且
利用氣流將空氣吹到所述切割帶的與所述中心區(qū)域相對應的第二區(qū)域,以使所述芯片與所述切割帶分離。
2.如權利要求1所述的芯片排出方法,其中所述吹氣包括提供壓強從所述第二區(qū)域的中心朝向外側逐漸增大的空氣。
3.如權利要求1所述的芯片排出方法,其中使得所述切割帶的第一區(qū)域相對于其他區(qū)域的所述抬起包括使得所述第二區(qū)域閉合以形成對所述氣流進行導向的閉合區(qū)域。
4.如權利要求1所述的芯片排出方法,其中利用抬起部件進行所述切割帶的第一區(qū)域相對于其他區(qū)域的抬起,所述抬起部件包括直徑沿向上方向逐漸增大以對所述氣流進行導向的流體通路。
5.一種芯片排出單元,其配置為從切割帶排出芯片,分成至少一個芯片的晶片附接至所述切割帶,所述芯片具有邊緣區(qū)域和中心區(qū)域,所述芯片排出單元包括:
具有中空腔和吸附孔的本體,所述中空腔的形狀與所述芯片的形狀相對應,所述吸附孔配置為對整個切割帶進行真空吸附;
抬起部件,其可上下移動地設置在所述中空腔中并且其內(nèi)具有流體通路,所述抬起部件配置為使得所述切割帶的與所述邊緣區(qū)域相對應的第一區(qū)域抬起;及
吹氣部,其配置為通過所述流體通路將空氣吹至所述切割帶的與所述中心區(qū)域相對應的第二區(qū)域。
6.如權利要求5所述的芯片排出單元,其中所述流體通路的直徑向上方向逐漸增大。
7.如權利要求5所述的芯片排出單元,其中所述吹氣部包括:
空氣供給源,其配置為將空氣供給入所述流體通路;及
空氣供給管,其配置為允許所述流體通路與所述空氣供給源相互連通。
8.如權利要求7所述的芯片排出單元,還包括真空吸附部,其配置為通過所述流體通路吸附所述切割帶,
其中所述真空吸附部包括:
從所述空氣供給管分支的真空吸附管;及
與所述真空吸附管連通的真空吸附源,其配置為通過所述流體通路吸附所述第二區(qū)域。
9.如權利要求5所述的芯片排出單元,其中所述吸附孔為環(huán)形。
10.一種芯片拾取方法,包括:
對切割帶進行支撐,分成至少一個芯片的晶片附接至所述切割帶,所述芯片具有邊緣區(qū)域和中心區(qū)域;
向上對所述芯片進行真空吸附;
向下對整個所述切割帶進行真空吸附;
使得所述切割帶的與所述邊緣區(qū)域?qū)牡谝粎^(qū)域相對于其他區(qū)域抬起;
利用氣流將空氣吹到所述切割帶的與所述中心區(qū)域相對應的第二區(qū)域,以使得所述芯片與所述切割帶分離;并且
從所述切割帶拾取所述芯片。
11.如權利要求10所述的芯片拾取方法,其中所述吹氣包括提供壓強從所述第二區(qū)域的中心朝向外側逐漸增大的空氣。
12.如權利要求10所述的芯片拾取方法,其中對所述芯片進行向上吸附之后,再向下對整個所述切割帶進行真空吸附。
13.一種芯片拾取裝置,包括:
臺架單元,其配置為對切割帶和晶片環(huán)進行支撐,分為多個芯片的晶片附接至所述切割帶,所述切割帶附接至所述晶片環(huán);
芯片排出單元,其設置在由所述臺架單元支撐的所述晶片下方,所述芯片排出單元可上下移動以選擇性地將所述芯片與所述切割帶分離;以及
拾取單元,其配置為拾取至少一個由所述芯片排出單元選擇的芯片;
其中,所述芯片排出單元包括:
具有中空腔和吸附孔的本體,所述中空腔的形狀與所述芯片的形狀相對應,所述吸附孔配置為對整個所述切割帶進行真空吸附;
抬起部件,其可上下移動地設置在所述中空腔中并且所述抬起部件中具有流體通路,所述抬起部件配置為使得所述切割帶的與所述邊緣區(qū)域相對應的第一區(qū)域抬起;及
吹氣部,其配置為通過所述流體通路將空氣吹至所述切割帶的與所述
中心區(qū)域相對應的第二區(qū)域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





