[發明專利]一種半導體薄膜的測量系統

有效

• 申請號: 201210129807.6
• 申請日: 2012-04-27
• 公開（公告）號: CN102650661A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 郝金剛
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G01R27/26
• 分類號: G01R27/26;H01L21/66
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種半導體薄膜的測量系統，其特征在于，包括：

電荷生成器，用于產生第一電荷，并將所述第一電荷傳輸到基臺；

所述基臺，具有導電功能，用于作為下電容板向基板提供第一電荷；

所述基板，放置在提供第一電荷的基臺上，上表面鍍有半導體薄膜；

上電容板，位于所述半導體薄膜上方，當所述基臺提供第一電荷時，所述上電容板產生與所述第一電荷電性相反的第二電荷；

處理器，用于根據從所述基臺和所述上電容板獲取的所述第一電荷的第一電荷總量和第二電荷的第二電荷總量，確定出所述基臺至所述上電容板之間的總電容值C；根據所述基板的電容值c1、所述半導體薄膜和所述上電容板之間的空間電容值c2、以及所述總電容值C，確定出所述基板上半導體薄膜的電容值c3，其中，1C=1c1+1c2+1c3.]]>

2.如權利要求1所述的測量系統，其特征在于，所述基臺含有金屬片。

3.如權利要求1所述的測量系統，其特征在于，所述上電容板與所述半導體薄膜之間的垂直距離為100um～5000um。

4.如權利要求1所述的測量系統，其特征在于，還包括：傳送設備，用于將所述基板傳送并取放在所述基臺上。

5.如權利要求1所述的測量系統，其特征在于，還包括：薄膜測厚探頭，用于測量所述半導體薄膜的厚度，并傳送給所述處理器；

所述處理器，還用于根據所述半導體薄膜的電容值、所述半導體薄膜的厚度、所述半導體薄膜的面積和真空介電常數，確定所述半導體薄膜的相對介電常數。

6.如權利要求5所述的測量系統，其特征在于，所述處理器，還用于將所述半導體薄膜的相對介電常數與標準薄膜介電常數范圍進行比對；當比對結果為在標準薄膜介電常數范圍內時，確定所述半導體薄膜的相對介電常數符合使用要求。

7.如權利要求1所述的測量系統，其特征在于，所述上電容板的數量大于一個且每個所述上電容板在所述半導體薄膜上的垂直投影不重疊時，所述處理器，還用于根據每個上電容板分別確定出所述半導體薄膜的電容值；當每個電容值均在標準薄膜介電常數范圍內時，確定所述半導體薄膜的均勻性符合使用要求。

8.如權利要求7所述的測量系統，其特征在于，所述上電容板的數量大于一個時，每個所述上電容板與所述半導體薄膜的垂直距離相同。

9.如權利要求1所述的測量系統，其特征在于，還包括：

去離子設備，用于去除所述測量后半導體薄膜上的離子。