[發(fā)明專利]加熱裝置、襯底處理裝置以及半導體裝置的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210129802.3 | 申請日： | 2010-07-21 |
| 公開（公告）號： | CN102709213A | 公開（公告）日： | 2012-10-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 村田等;小杉哲也;杉浦忍;上野正昭 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立國際電氣 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 陳偉;金楊 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 加熱 裝置 襯底 處理 以及 半導體 制造 方法 | ||
1.一種加熱裝置，
具有：
形成為環(huán)狀的發(fā)熱體；
以圍繞所述發(fā)熱體的外周的方式設置的隔熱體；
將所述發(fā)熱體固定在所述隔熱體的內(nèi)壁上的固定部，
其特征在于，
設定為：至少在所述發(fā)熱體為室溫狀態(tài)時，所述發(fā)熱體與所述隔熱體的內(nèi)壁之間的距離隨著從所述固定部遠離而變大。
2.一種加熱裝置，
具有：
構成為環(huán)狀部的發(fā)熱體；
以圍繞所述發(fā)熱體的外周的方式設置的隔熱體；
將所述發(fā)熱體固定在所述隔熱體的內(nèi)壁上的固定部，
其特征在于，
設定為：至少在使所述發(fā)熱體升溫前的狀態(tài)下，所述發(fā)熱體與所述隔熱體的內(nèi)壁之間的距離隨著從所述固定部遠離而變大。
3.一種加熱裝置，
具有：
形成為環(huán)狀的發(fā)熱體；
以圍繞所述發(fā)熱體的外周的方式設置的隔熱體；
將所述發(fā)熱體固定在所述隔熱體的內(nèi)壁上的固定部，
其特征在于，
所述固定部沿所述發(fā)熱體的周向設有多個，
設定為：至少在所述發(fā)熱體為室溫狀態(tài)時，所述發(fā)熱體與所述隔熱體的內(nèi)壁之間的距離隨著從鄰接的所述固定部之間的中間位置向所述固定部接近而變小。
4.一種加熱裝置，
具有：
構成為環(huán)狀部的發(fā)熱體；
以圍繞所述發(fā)熱體的外周的方式設置的隔熱體；
將所述發(fā)熱體固定在所述隔熱體的內(nèi)壁上的固定部，
其特征在于，
所述固定部沿所述發(fā)熱體的周向設有多個，
設定為：至少在使所述發(fā)熱體升溫前的狀態(tài)下，所述發(fā)熱體與所述隔熱體的內(nèi)壁之間的距離隨著從鄰接的所述固定部之間的中間位置向所述固定部接近而變小。
5.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，
具有以下工序：
將襯底搬入設在加熱裝置的發(fā)熱體的內(nèi)側的處理室內(nèi)的工序，其中，所述加熱裝置具有形成為環(huán)狀的所述發(fā)熱體、以圍繞所述發(fā)熱體的外周的方式設置的隔熱體、將所述發(fā)熱體固定在所述隔熱體的內(nèi)壁上的固定部；
使所述發(fā)熱體升溫，對所述處理室內(nèi)的襯底進行加熱處理的工序，
設定為：至少在所述發(fā)熱體為室溫狀態(tài)時，所述發(fā)熱體與所述隔熱體的內(nèi)壁之間的距離隨著從所述固定部遠離而變大。
6.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，
具有以下工序：
將襯底搬入設在加熱裝置的發(fā)熱體的內(nèi)側的處理室內(nèi)的工序，其中，所述加熱裝置具有構成為環(huán)狀部的發(fā)熱體、以圍繞所述發(fā)熱體的外周的方式設置的隔熱體、將所述發(fā)熱體固定在所述隔熱體的內(nèi)壁上的固定部；
使所述發(fā)熱體升溫，對所述處理室內(nèi)的襯底進行加熱處理的工序，
設定為：至少在使所述發(fā)熱體升溫前的狀態(tài)下，所述發(fā)熱體與所述隔熱體的內(nèi)壁之間的距離隨著從所述固定部遠離而變大。
7.一種襯底處理裝置，具有加熱裝置和處理室，
所述加熱裝置具有：
形成為環(huán)狀的發(fā)熱體；
以圍繞所述發(fā)熱體的外周的方式設置的隔熱體；
將所述發(fā)熱體固定在所述隔熱體的內(nèi)壁上的固定部，
并且設定為：至少在所述發(fā)熱體為室溫狀態(tài)時，所述發(fā)熱體與所述隔熱體的內(nèi)壁之間的距離隨著從所述固定部遠離而變大，
所述處理室對設在該加熱裝置的內(nèi)部的襯底進行處理。
8.一種襯底處理裝置，具有加熱裝置和處理室，
所述加熱裝置具有：
構成為環(huán)狀部的發(fā)熱體；
以圍繞所述發(fā)熱體的外周的方式設置的隔熱體；
將所述發(fā)熱體固定在所述隔熱體的內(nèi)壁上的固定部，
并且設定為：至少在使所述發(fā)熱體升溫前的狀態(tài)下，所述發(fā)熱體與所述隔熱體的內(nèi)壁之間的距離隨著從所述固定部遠離而變大，
所述處理室對設在該加熱裝置的內(nèi)部的襯底進行處理。
9.如權利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，
所述固定部沿著所述發(fā)熱體的周向設在兩處，
所述固定部被配置成將所述發(fā)熱體在周向范圍大致二等分。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
