[發明專利]太陽能電池模塊、電子裝置及太陽能電池的制造方法

有效

• 申請號: 201210129658.3
• 申請日: 2012-04-27
• 公開（公告）號: CN102651413A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 涂峻豪;龔國森;詹仁宏;蕭雅之;林亭均;吳唯誠;曾任培;張鈞杰
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L31/05
• 分類號: H01L31/05;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;鮑俊萍

1.一種太陽能電池模塊，其特征在于，包含：

一第一太陽能電池，包含：

一第一金屬基板，具有分別位于相反側的一第一表面與一第二表面；

一第一光電轉換層，位于該第一金屬基板與該第一表面相同的一側；

一第一上電極層，位于該第一光電轉換層上；

一第一P-N接合半導體，位于該第一金屬基板與該第二表面相同的一側；以及

一第一下電極層，位于該第一P-N接合半導體相對于該第一金屬基板的對側；以及

一第二太陽能電池，包含：

一第二金屬基板，具有分別位于相反側的一第一表面與一第二表面；

一第二光電轉換層，位于該第二金屬基板與該第一表面相同的一側；

一第二上電極層，位于該第二光電轉換層上，且電性耦接該第一金屬基板；

一第二P-N接合半導體，位于該第二金屬基板與該第二表面相同的一側；以及

一第二下電極層，位于該第二P-N接合半導體相對于該第二金屬基板的對側，且電性耦接該第一金屬基板。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊，其特征在于，該第一光電轉換層包含：

一第一P型半導體層，位于該第一金屬基板的該第一表面上；

一第一I型半導體層，位于該第一P型半導體層上；以及

一第一N型半導體層，位于該第一I型半導體層上。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊，其特征在于，該第一P-N接合半導體包含：

一第二N型半導體層，位于該第一金屬基板與該第二表面相同的一側；以及

一第二P型半導體層，位于該第二N型半導體層上，且位于該第二N型半導體層與該第一下電極層之間。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊，其特征在于，該第二光電轉換層包含：

一第三P型半導體層，位于該第二金屬基板與該第一表面相同的一側；

一第二I型半導體層，位于該第三P型半導體層上；以及

一第三N型半導體層，位于該第二I型半導體層上。

5.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊，其特征在于，該第二P-N接合半導體包含：

一第四N型半導體層，位于該第二金屬基板與該第二表面相同的一側；以及

一第四P型半導體層，位于該第四N型半導體層上，且位于該第四N型半導體層與該第二下電極層之間。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊，其特征在于，該第一P-N接合半導體包含：

一第二N型半導體層，位于該第一金屬基板與該第二表面相同的一側；

一第一絕緣體，位于該第一金屬基板與該第二表面相同的一側且緊鄰該第二N型半導體層；以及

一第二P型半導體層，位于該第一絕緣體上，且位于該第一絕緣體與該第一下電極層之間。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊，其特征在于，該第二P-N接合半導體包含：

一第四N型半導體層，位于該第二金屬基板與該第二表面相同的一側；

一第二絕緣體，位于該第二金屬基板與該第二表面相同的一側且緊鄰該第四N型半導體層；以及

一第四P型半導體層，位于該第二絕緣體上，且位于該第二絕緣體與該第二下電極層之間。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的太陽能電池模塊，其特征在于，該第一金屬基板與該第二金屬基板的材質選自由金、銀、銅、鐵、錫、銦、鋁及鉑所組成的群組中的一種材質；該第一光電轉換層歐姆接觸該第一金屬基板的該第一表面，該第一P-N接合半導體歐姆接觸該第一金屬基板的該第二表面；該第二光電轉換層歐姆接觸該第二金屬基板的該第一表面，該第二P-N接合半導體歐姆接觸該第二金屬基板的該第二表面；該第一上電極層、該第一下電極層、該第二上電極層與該第二下電極層的材質包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鍺鋅氧化物；該第一光電轉換層與該第二光電轉換層的材質包含非晶硅、多晶硅、碲化鎘、銅銦鎵硒、砷化鎵或聚合物；該第一P-N接合半導體與該第二P-N接合半導體的材質包含非晶硅、多晶硅、碲化鎘、銅銦鎵硒或砷化鎵。