[發明專利]一種適用于PVT法生長SiC晶體系統的測溫結構

無效

• 申請號: 201210129619.3
• 申請日: 2012-04-28
• 公開（公告）號: CN103374749A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 孔海寬;忻雋;陳建軍;嚴成鋒;劉熙;肖兵;楊建華;施爾畏
• 申請（專利權）人: 上海硅酸鹽研究所中試基地;中國科學院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號: C30B23/00
• 分類號: C30B23/00
• 代理公司: 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙) 31261
• 代理人: 曹芳玲

1.一種適用于PVT法生長SiC晶體系統的測溫結構，所述系統具有用坩堝圍成的晶體生長用晶體生長室，配置于生長室室內頂部的籽晶托，和在所述晶體生長室外圍的保溫層；其特征在于，所述測溫結構包括設置于生長室頂部的籽晶托上方的保溫層上并能夠通過其利用高溫紅外測溫計測量晶體生長室內溫度的開孔；以及插通所述開孔固定于籽晶托上的測溫管。

2.根據權利要求1所述的測溫結構，其特征在于，所述測溫管由不低于2500℃的耐高溫材料制成。

3.根據權利要求2所述的測溫結構，其特征在于，所述耐高溫材料為石墨材料或鉭。

4.根據權利要求1所述的測溫結構，其特征在于，所述測溫管高于保溫層或與保溫層頂部齊平。

5.根據權利要求1所述的測溫結構，其特征在于，所述測溫管內徑為5mm-30mm，測溫管壁厚為1mm-15mm。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的測溫結構，其特征在于，所述測溫管插入并固定在籽晶托上方設置的有底中心孔內。

7.根據權利要求1至5中任一項所述的測溫結構，其特征在于，所述測溫管套接并固定在籽晶托上方設置的凸臺上。

8.根據權利要求1至5中任一項所述的測溫結構，其特征在于，所述測溫管與籽晶托一體地成型為一個整體。