[發明專利]垂直雙激勵可控電抗器

無效

• 申請號: 201210129529.4
• 申請日: 2012-04-28
• 公開（公告）號: CN102682956A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 蔣正榮
• 申請（專利權）人: 蔣正榮
• 主分類號: H01F21/08
• 分類號: H01F21/08;H01F27/28;H01F27/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.垂直雙激勵可控電抗器，包括絕緣套筒(2)、鐵芯圓筒(3)、交流線圈繞組(5)和直流偏置繞組(4)，其特征在于，所述的直流偏置繞組纏繞在鐵芯圓筒的內外，連接直流偏置電流，鐵芯圓筒用作電抗器交直流磁通的主要作用區，套在交流線圈繞組內，交流線圈繞組作為工作繞組串接在交流工作回路中；交流線圈繞組和直流偏置繞組互相垂直并分別通以交流和直流電流，通過交直流磁場的相互作用改變電抗器鐵芯的張量磁導率，改變電抗器的電抗值。

2.根據權利要求1所述的垂直雙激勵可控電抗器，其特征在于，所述的直流偏置繞組為非晶納米晶環狀螺線管，由單獨的直流激磁電源供電。

3.根據權利要求2所述的垂直雙激勵可控電抗器，其特征在于，所述的非晶納米晶環狀螺線管的軸線與交流線圈繞組的中心軸線重合，直流激磁電源為可調直流電源。

4.根據權利要求1或2所述的垂直雙激勵可控電抗器，其特征在于，所述的可控電抗器還包括套在鐵芯圓筒外的鐵軛(1)，所述的鐵軛為鐵芯圓筒上的交流主磁通提供低磁阻回路。

5.根據權利要求4所述的垂直雙激勵可控電抗器，其特征在于，所述的鐵軛采用三層結構，中間層(7)的鐵軛內高為鐵芯圓筒的高度，內、外(6、8)兩層鐵軛覆蓋鐵芯圓筒的兩側面積，高度比中間層高度高出2倍直流偏置線圈的線徑。