[發明專利]一種用于硒化鋅單晶體生長的安瓿

無效

• 申請號: 201210129406.0
• 申請日: 2008-09-01
• 公開（公告）號: CN102677176A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 李煥勇;介萬奇
• 申請（專利權）人: 西北工業大學
• 主分類號: C30B29/48
• 分類號: C30B29/48;C30B35/00
• 代理公司: 西北工業大學專利中心 61204
• 代理人: 慕安榮

1.一種用于硒化鋅單晶體生長的安瓿，采用電子級高純石英制成，其特征在于，安瓿的生長區是由通過安瓿中軸的截面上的兩段弧相切構成的錐狀體，錐狀體的長度為25～30mm，兩段弧在中軸方向上與距離錐點9～12mm的垂線相交于兩點，通過此二交點的兩條切線構成的錐角θ為18～25°。

2.如權利要求1所述一種用于硒化鋅單晶體生長的安瓿，其特征在于，安瓿管內徑根據生長晶體的直徑確定，生長晶體所用的安瓿長度為10～15cm；安瓿的基本結構是在原料區Zn和Se單質易于混和的結構。

3.如權利要求1所述一種用于硒化鋅單晶體生長的安瓿，其特征在于，當所述的安瓿用于水平方式生長晶體時，在安瓿原料區安裝有一圓環形石英擋板；該擋板垂直于安瓿壁，與安瓿底部形成容納原料的容器。