[發明專利]非易失性半導體存儲器及其數據的讀取方法

有效

• 申請號: 201210129288.3
• 申請日: 2012-04-23
• 公開（公告）號: CN103137192A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 神永雄大;矢野勝
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/02
• 分類號: G11C16/02;G11C16/26
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張龍哺;馮志云

1.一種非易失性半導體存儲器的數據讀取方法，該非易失性半導體存儲器包括：存儲器陣列，包含多個存儲單元；頁緩沖存儲器，保持從所述存儲器陣列中的根據地址信息而選擇頁所傳輸的數據；以及數據寄存器，從所述頁緩沖存儲器接收數據，并且根據時脈信號，將接收的所述數據串列地輸出，其中所述存儲器陣列包含至少第一及第二記憶層，所述至少第一及第二記憶層的所選擇頁的數據同時傳輸到所述頁緩沖存儲器，所述在非易失性半導體存儲器的數據讀取方法包括：

在從所述數據寄存器輸出所述第一記憶層的第一頁的數據的期間，將所述第二記憶層的第二頁的數據從所述頁緩沖存儲器傳輸到所述數據寄存器；以及

在從所述數據寄存器輸出所述第二記憶層的所述第二頁的數據的期間，將所述第一記憶層的所述第二頁的數據從所述頁緩沖存儲器傳輸到所述數據寄存器。

2.如權利要求1所述的非易失性半導體存儲器的的數據讀取方法，更包括：

輸入可選擇至少兩個不連續頁的至少兩個地址信息；

保持所輸入的所述至少兩個地址信息；

根據所述至少兩個地址信息中的第一地址信息來選擇存儲器陣列的所述第一及所述第二記憶層的所述第一頁；

將所選擇所述第一頁的數據傳輸到所述頁緩沖存儲器；以及

在從所述數據寄存器讀取所述第一頁的數據的期間內，將根據所述至少兩個地址信息中的第二地址信息而選擇所述第一及所述第二記憶層的所述第二頁的數據，從所述存儲器陣列傳輸到所述頁緩沖存儲器。

3.如權利要求1或2所述的非易失性半導體存儲器的數據讀取方法，其中所述第一地址信息是用于選擇所述存儲器陣列的所述第一及所述第二記憶層的第一記憶區塊內的第一頁的地址信息，所述第二地址信息是用于選擇所述存儲器陣列的所述第一及所述第二記憶層的第二記憶區塊內的第二頁的地址信息。

4.如權利要求2所述的非易失性半導體存儲器的數據讀取方法，其中所述第一地址信息是用于選擇所述存儲器陣列的所述第一及所述第二記憶層的所述第一記憶區塊內的所述第一頁的地址信息，所述第二地址信息是用于選擇所述第一記憶區塊內的所述第二頁的地址信息。

5.如權利要求1所述的非易失性半導體存儲器的數據讀取方法，更包括：

輸入可選擇所述第一及所述第二記憶層內的不同記憶區塊的頁的至少兩個地址信息；

保持所輸入的所述至少兩個地址信息；

根據所述至少兩個地址信息中的第一地址信息來選擇存儲器陣列的所述第一及所述第二記憶層的第一記憶區塊的第一頁；

將所述第一及所述第二記憶層的所述第一記憶區塊的所述第一頁到最后一頁為止的數據依序傳輸到所述頁緩沖存儲器；以及

在從所述數據寄存器讀取所述第一記憶區塊的所述最后一頁的數據的期間內，將根據所述至少兩個地址信息中的第二地址信息而選擇所述第一及所述第二記憶層的第二存儲區塊的第二頁的數據，從所述存儲器陣列傳輸到所述頁緩沖存儲器。

6.如權利要求1所述的非易失性半導體存儲器的數據讀取方法，更包括：

輸入可選擇所述第一及所述第二記憶層的第一頁的第一地址信息；

根據所輸入的所述第一地址信息來選擇所述第一及所述第二記憶層的第一記憶區塊的第一頁；

在讀取所述第一記憶區塊的最后一頁之前，輸入可選擇第二記憶區塊的第二頁的第二地址信息；以及

在從所述數據寄存器讀取所述第一記憶區塊的最后一頁的數據的期間內，將根據所述第二地址信息而選擇所述第一及所述第二記憶層的所述第二記憶區塊的所述第二頁的數據，從所述存儲器陣列傳輸到所述頁緩沖存儲器。

7.如權利要求6所述的非易失性半導體存儲器的數據讀取方法，其中在被輸入用于輸入所述第二地址信息的命令時，中斷所述數據寄存器的連續讀取，所述數據寄存器在已輸入所述第二地址信息之后重新開始所述連續讀取。

8.如權利要求1至7任一項所述的非易失性半導體存儲器的數據讀取方法，其中所述數據寄存器與規定頻率的時脈信號的上升及下降中的至少一個同步而輸出數據，輸出所述數據寄存器的所述第一及所述第二記憶層的頁的數據所需要的時間t1比從存儲器陣列向所述頁緩沖存儲器傳輸數據所需要的時間t2長。