[發(fā)明專利]用于超導(dǎo)磁體的磁屏蔽材料無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210129180.4 | 申請日： | 2012-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN102758105A | 公開（公告）日： | 2012-10-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 都丸隆行;佐佐木憲一;星河浩介;田淵宏 | 申請（專利權(quán)）人： | 大學(xué)共同利用機關(guān)法人高能加速器研究機構(gòu);住友化學(xué)株式會社 |
| 主分類號： | C22C21/00 | 分類號： | C22C21/00;H01F5/00;H01F7/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 程金山 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 超導(dǎo) 磁體 屏蔽 材料 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種在77K以下的低溫在1T以上的磁通量密度的磁場中使用的磁屏蔽材料，所述磁屏蔽材料包含具有99.999質(zhì)量％以上純度的鋁。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁屏蔽材料，其中所述鋁具有以質(zhì)量計1ppm以下的鐵含量。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁屏蔽材料，其中所述鋁具有99.9999質(zhì)量％以上的純度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁屏蔽材料，其中所述鋁具有99.99998質(zhì)量％以上的純度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的磁屏蔽材料，其中所述鋁包含金屬間化合物Al3Fe。
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