[發(fā)明專利]存儲元件和存儲裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210129098.1
• 申請日: 2012-04-27
• 公開（公告）號: CN102769100A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 別所和宏;細見政功;大森廣之;肥后豐;山根一陽;淺山徹哉;內(nèi)田裕行
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;G11C11/15
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種存儲元件，包括：

存儲層，基于磁性材料的磁化狀態(tài)來存儲信息；

磁化固定層，具有用作存儲在所述存儲層中的信息的基準的磁化；

中間層，由非磁性材料形成，并且介于所述存儲層和所述磁化固定層之間；

保護層，被設(shè)置為與所述存儲層相鄰并且在所述中間層的相反側(cè)；以及

金屬保護層，被設(shè)置為與所述保護層相鄰并且在所述存儲層的相反側(cè)，

其中，利用由在包括所述存儲層、所述中間層和所述磁化固定層的層結(jié)構(gòu)的層壓方向上流動的電流所引起的自旋扭矩磁化反轉(zhuǎn)將所述存儲層的磁化反轉(zhuǎn)，從而存儲信息，

所述中間層和所述保護層由氧化物形成，并且

所述金屬保護層由Pd或Pt形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲元件，

其中，所述存儲層包括包含F(xiàn)e和Co中的至少一種的合金區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲元件，

其中，所述存儲層和所述磁化固定層具有垂直于層表面的磁化。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲元件，

其中，所述中間層是隧道絕緣層。

5.一種存儲裝置，包括：

存儲元件，基于磁性材料的磁化狀態(tài)來存儲信息；以及

彼此交叉的兩種類型的配線，

其中，所述存儲元件包括：存儲層，基于磁性材料的磁化狀態(tài)來存儲信息；磁化固定層，具有用作存儲在所述存儲層中的信息的基準的磁化；中間層，由非磁性材料形成并且介于所述存儲層和所述磁化固定層之間；保護層，被設(shè)置為與所述存儲層相鄰并且在所述中間層的相反側(cè)；以及金屬保護層，被設(shè)置為與所述保護層相鄰并且在所述存儲層的相反側(cè)，其中，利用由在包括所述存儲層、所述中間層和所述磁化固定層的層結(jié)構(gòu)的層壓方向上流動的電流所引起的自旋扭矩磁化反轉(zhuǎn)將所述存儲層的磁化反轉(zhuǎn)，從而存儲信息，所述中間層和所述保護層由氧化物形成，并且所述金屬保護層由Pd或Pt形成，

所述存儲元件設(shè)置在所述兩種類型的配線之間，并且

通過所述兩種類型的配線使所述層壓方向上的電流在所述存儲元件中流動，從而引起所述自旋扭矩磁化反轉(zhuǎn)。