[發(fā)明專利]采用上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的短波紅外圖像探測(cè)裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210128913.2
• 申請(qǐng)日: 2012-04-27
• 公開（公告）號(hào): CN102661797A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉智;劉丹;夏婷婷;楊陽;劉建華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長春理工大學(xué)
• 主分類號(hào): G01J5/08
• 分類號(hào): G01J5/08
• 代理公司: 長春菁華專利商標(biāo)代理事務(wù)所 22210
• 代理人: 陶尊新

1.一種采用上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的短波紅外圖像探測(cè)裝置，成像透鏡位于光電探測(cè)器前；FPGA主控芯片中的光電探測(cè)器驅(qū)動(dòng)單元、圖像存儲(chǔ)單元、圖像處理單元與光電探測(cè)器連接，圖像處理單元還與圖像存儲(chǔ)單元及通信接口連接，其特征在于，成像透鏡為可見光成像透鏡(3)，光電探測(cè)器為可見光光電探測(cè)器(4)，上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料板(5)位于可見光成像透鏡(3)前方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的短波紅外圖像探測(cè)裝置，其特征在于，可見光光電探測(cè)器(4)為采用硅半導(dǎo)體材料制造的CCD或CMOS數(shù)字圖像傳感器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的短波紅外圖像探測(cè)裝置，其特征在于，所采用的上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料為硫化物紅外上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料CaS:Eu²⁺，Sm³⁺。