[發明專利]硫錫鋇單晶體及其制備和用途有效
| 申請號： | 201210128628.0 | 申請日： | 2012-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN102644116A | 公開（公告）日： | 2012-08-22 |
| 發明（設計）人： | 羅中箴;林晨升;程文旦;張煒龍;張浩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號： | C30B29/46 | 分類號： | C30B29/46;C30B1/10;G02F1/355 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 350002 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硫錫鋇 單晶體 及其 制備 用途 | ||
【權利要求書】：
1.硫錫鋇非線性單晶體，其化學式為Ba7Sn5S15，分子量為2035.91，屬六方晶系，空間群P63cm，單胞參數為α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝6。
2.制備權利要求1所述的硫錫鋇單晶體的方法，包括如下步驟：以BaS，Sn與S為原料，其摩爾比為7∶5∶15，真空后封口，用四十小時使溫度達到800℃，并且在800℃恒溫五十小時，然后降至室溫，獲得塊狀紅色晶體。
3.權利要求1的硫錫鋇單晶體用于制備紅外波段激光變頻器件以及近紅外濾光器件、紅外激光雷達。
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