[發明專利]一種磺化聚苯酚薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201210127797.2 | 申請日： | 2012-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN102644099A | 公開（公告）日： | 2012-08-22 |
| 發明（設計）人： | 侯宏英;劉顯茜 | 申請（專利權）人： | 昆明理工大學 |
| 主分類號： | C25D9/02 | 分類號： | C25D9/02;C25D17/08 |
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| 地址： | 650093 云*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 磺化 苯酚 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種磺化聚苯酚薄膜的制備方法，其特征在于經過下列各步驟：
以濃度為0.005～0.1mol/L、pH=0～13的磺化苯酚水溶液作為電解質溶液，以三電極為電極，其中三電極為工作電極、參比電極和對電極，在室溫到80℃下通過循環伏安掃描或計時安培法掃描進行陽極氧化反應實現單體的電化學聚合反應，從而在工作電極表面生成一層黃色或棕黃色的磺化聚苯酚薄膜。
2.根據權利要求1所述的磺化聚苯酚薄膜的制備方法，其特征在于：所述電解質溶液中加入支持電解質，使其濃度為0.01～0.1mol/L。
3.根據權利要求2所述的磺化聚苯酚薄膜的制備方法，其特征在于：所述支持電解質為無機鹽、無機酸或無機堿。
4.根據權利要求1所述的磺化聚苯酚薄膜的制備方法，其特征在于：所述循環伏安掃描的電壓范圍為0.6～1.8V。
5.根據權利要求1所述的磺化聚苯酚薄膜的制備方法，其特征在于：所述計時安培法掃描的電壓范圍為1.20～1.3V。
6.根據權利要求1所述的磺化聚苯酚薄膜的制備方法，其特征在于：所述計時安培法掃描的時間為0.5～1.5小時。
7.根據權利要求1所述的磺化聚苯酚薄膜的制備方法，其特征在于：所述工作電極為圓片狀、納米管狀或網狀的導體或半導體材料。
8.根據權利要求1所述的磺化聚苯酚薄膜的制備方法，其特征在于：所述參比電極為飽和甘汞電極、飽和銀/氯化銀電極或汞/氧化汞電極。
9.根據權利要求1所述的磺化聚苯酚薄膜的制備方法，其特征在于：所述對電極為鉑絲，鉑網或鉑片電極。
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