[發(fā)明專利]蝕刻裝置和用于蝕刻工件的材料的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210127461.6
• 申請日: 2012-04-27
• 公開（公告）號: CN102760672B
• 公開（公告）日: 2017-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: S.伯恩里德;T.菲舍爾;R.費爾格;M.拉里施
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 馬永利,盧江

1.一種蝕刻裝置，包括：

處理室，其包括蝕刻劑；

配置成提供所述蝕刻劑的層流的結(jié)構(gòu)；以及

工件操作器，其被配置成沿著預(yù)定義軌道保持和移動工件經(jīng)過所述蝕刻劑的層流，其中所述工件操作器被配置以保持所述工件以便所述工件被配置成完全浸入所述蝕刻劑；

以便所述工件的待蝕刻的一側(cè)被配置成基本上垂直于所述蝕刻劑的層流；并且

其中在與工件的待蝕刻的一側(cè)相對的該工件的一側(cè)上創(chuàng)建蝕刻劑的湍流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻裝置，其中，所述預(yù)定義軌道形成環(huán)的至少一部分；以及

其中所述環(huán)的中心位于所述工件外面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻裝置，其中，所述處理室包括配置成容納所述蝕刻劑的處理槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的蝕刻裝置，其中，所述蝕刻裝置被配置成生成通過所述處理槽的所述蝕刻劑的流動。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻裝置，其中，所述蝕刻劑的層流被配置成蝕刻所述工件的一側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蝕刻裝置，其中，所述蝕刻裝置被配置成使得，向所述工件的待蝕刻的一側(cè)的所述蝕刻劑的層流的速度大于由于擴散、對流和重力中的至少一項引起的向所述工件的待蝕刻的一側(cè)的所述蝕刻劑的流動的速度。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蝕刻裝置，還包括：至少一個泵，其被連接到所述處理室以提供通過所述處理槽的所述蝕刻劑的流動。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻裝置，其中，所述結(jié)構(gòu)包括多個通道，所述多個通道引導(dǎo)所述蝕刻劑以由此提供所述層流。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的蝕刻裝置，其中，所述通道由管陣列形成，所述管陣列以預(yù)定義方式被布置以提供所述層流。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的蝕刻裝置，其中，所述結(jié)構(gòu)包括板，所述板包括多個通孔以作為所述多個通道。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的蝕刻裝置，其中，所述板的大小是所述工件的至少兩倍。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻裝置，其中，所述工件操作器被配置成移動所述工件經(jīng)過所述蝕刻劑的層流而沒有所述工件相對于所述工件操作器的固有運動。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的蝕刻裝置，其中，所述工件操作器被配置成移動所述工件經(jīng)過所述蝕刻劑的層流而沒有所述工件相對于所述工件操作器的固有旋轉(zhuǎn)。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻裝置，其中，所述工件的待蝕刻的一側(cè)被配置成相對于所述蝕刻劑的層流的方向處于固定角度。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻裝置，其中，所述工件是晶片。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的蝕刻裝置，其中，所述晶片是半導(dǎo)體晶片。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻裝置，其中，所述工件是太陽能電池。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻裝置，其中，所述工件是印刷電路板。

19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻裝置，其中，所述工件包括待蝕刻的結(jié)構(gòu)。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的蝕刻裝置，其中，所述待蝕刻的結(jié)構(gòu)包括能夠使用擴散受控的蝕刻工藝、使用所述蝕刻劑蝕刻的材料。

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的蝕刻裝置，其中，所述待蝕刻的結(jié)構(gòu)包括從包括下述的組中選擇的材料：銅、硅和鋁。

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的蝕刻裝置，其中，所述硅包括多晶硅。

23.一種用于蝕刻工件的材料的方法，所述方法包括：

將蝕刻劑的層流提供到工件的待蝕刻的一側(cè)上；以及

沿著預(yù)定義軌道保持和移動所述工件經(jīng)過所述蝕刻劑的層流；

其中還包括：

保持工件使得所述工件完全浸入所述蝕刻劑；

使得所述工件的待蝕刻的一側(cè)基本上垂直于所述蝕刻劑的層流；并且

其中在與工件的待蝕刻的一側(cè)相對的該工件的一側(cè)上創(chuàng)建蝕刻劑的湍流。