[發明專利]基于光子晶體諧振腔LED激發光源的微流控芯片熒光檢測系統無效
| 申請號： | 201210126969.4 | 申請日： | 2012-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN102636471A | 公開（公告）日： | 2012-08-15 |
| 發明（設計）人： | 曹暾;閆衛平 | 申請（專利權）人： | 大連理工大學 |
| 主分類號： | G01N21/64 | 分類號： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 大連理工大學專利中心 21200 | 代理人： | 梅洪玉 |
| 地址： | 116024*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 光子 晶體 諧振腔 led 激發 光源 微流控 芯片 熒光 檢測 系統 | ||
1.一種基于光子晶體諧振腔LED激發光源的微流控芯片熒光檢測系統，其特征在于，基于光子晶體諧振腔LED激發光源是將光子晶體諧振腔集成于LED上的激發光源，其結構是在襯底上先生長一層2μm的基于III-V族半導體材料的n型層，再生長一層反光層，然后生長一層基于III-V族半導體材料的有源層，最后生長一層200-300nm厚的基于III-V族半導體材料的p型層；最后通過刻蝕工藝，在p型層刻蝕出光子晶體諧振腔圖樣。
2.根據權利要求1所述的基于光子晶體諧振腔LED激發光源的微流控芯片熒光檢測系統，其特征在于，所述的III-V族半導體材料層是內部結構具有單向導電性的磷化鎵、鎵鋁砷、砷化鎵、氮化鎵。
3.根據權利要求1所述的基于光子晶體諧振腔LED激發光源的微流控芯片熒光檢測系統，其特征在于，所述的光子晶體是矩形、方形、圓形、橢圓形；光子晶體孔寬度為20納米至10微米，高度在60納米至10厘米。
4.根據權利要求1所述的基于光子晶體諧振腔LED激發光源的微流控芯片熒光檢測系統，其特征在于，所述的有源層是n個周期的InGaN/GaN量子阱或量子點結構，其中n不小于4。
5.根據權利要求1或2或3或4所述的基于光子晶體諧振腔LED激發光源的微流控芯片熒光檢測系統，其特征在于，反光層是金屬層或分布式布拉格反射鏡(DBR)。
6.根據權利要求1或2或3或4所述的基于光子晶體諧振腔LED激發光源的微流控芯片熒光檢測系統，其特征在于，所述的襯底采用晶體材料、有機材料。
7.根據權利要求5所述的基于光子晶體諧振腔LED激發光源的微流控芯片熒光檢測系統，其特征在于，金屬層的金屬是指Al、Ag、Au、Cu。?
8.根據權利要求6所述的基于光子晶體諧振腔LED激發光源的微流控芯片熒光檢測系統，其特征在于，晶體材料包括硅、砷化鎵、磷化銦、藍寶石。?
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