[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210126955.2
• 申請(qǐng)日: 2012-04-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103378007B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪慶文;黃志森;周玲君;王益昌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8238
• 分類號(hào): H01L21/8238;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導(dǎo)體元件的制作方法，包含：

提供一基材，該基材上具有一柵極結(jié)構(gòu)以及圍繞該柵極結(jié)構(gòu)的一間隙壁，其中該間隙壁的表面由氮化硅所組成；

進(jìn)行一摻雜步驟，并在一光致抗蝕劑的保護(hù)下，在該柵極結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)的該基材中形成一淺摻雜漏極；

進(jìn)行一剝除步驟，而在一無(wú)氧環(huán)境下剝除該光致抗蝕劑；以及

在該剝除步驟后進(jìn)行一保護(hù)步驟，而在一含氧環(huán)境下改質(zhì)該間隙壁而得到一改質(zhì)間隙壁；

形成由氮化硅所組成的一材料層覆蓋該柵極結(jié)構(gòu)以及該改質(zhì)間隙壁；

在該保護(hù)步驟后進(jìn)行一移除步驟，以移除一材料層，并實(shí)質(zhì)上不影響該改質(zhì)間隙壁。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中在該保護(hù)步驟中氧化該間隙壁，而在該保護(hù)步驟后，該間隙壁的表面由氮化硅與一種氧化物所組成。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中使用一無(wú)氧氣體以形成該無(wú)氧環(huán)境，且該剝除步驟還包含使用一堿性物質(zhì)清潔該基材、該柵極結(jié)構(gòu)與該間隙壁。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，

其中該材料層全面性地(blanketly)形成在該基材上；

所述方法還包括：

在進(jìn)行該移除步驟之前，進(jìn)行一蝕刻步驟，移除部分的該材料層，而使得該材料層于該間隙壁外形成一犧牲間隙壁，并在該犧牲間隙壁兩側(cè)外的該基材內(nèi)分別形成一凹槽；以及

進(jìn)行一選擇性外延成長(zhǎng)(selective epitaxial growth,SEG)制作工藝，以在該些凹槽內(nèi)分別形成一外延層。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，

其中該材料層作為提供一應(yīng)力的一應(yīng)力層，且全面性地(blanketly)形成在該基材上；

所述方法還包括：

對(duì)該基材進(jìn)行一預(yù)非晶化步驟(pre-amorphorizing implant)；以及

在形成該材料層后，進(jìn)行一應(yīng)力轉(zhuǎn)移步驟，使得該基材記憶該應(yīng)力。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中在該移除步驟后，該改質(zhì)間隙壁的尺寸損失小于5埃。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中使用一干式氧化與一濕式氧化其中的至少一種進(jìn)行該保護(hù)步驟。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中該保護(hù)步驟還包含使用去離子水，以清潔該基材、該柵極結(jié)構(gòu)與該間隙壁。

9.一種半導(dǎo)體元件的制作方法，包含：

提供沒(méi)有光致抗蝕劑的一基材，該基材上具有經(jīng)界定的一柵極結(jié)構(gòu)以及位于該柵極結(jié)構(gòu)上的一第一材料層，其中該第一材料層包含一種氮化物；

進(jìn)行一保護(hù)步驟，而在一含氧環(huán)境下改質(zhì)該第一材料層；

在進(jìn)行該保護(hù)步驟后形成一第二材料層，位于該基材上；以及

在該保護(hù)步驟后進(jìn)行一移除步驟，而使用一非氧化酸移除該第二材料層，而實(shí)質(zhì)上不影響經(jīng)改質(zhì)的該第一材料層，其中該第二材料層包含氮化硅。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中在該保護(hù)步驟中氧化該第一材料層，使得該第一材料層的表面包含氮化硅與一種氧化物。

11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中該保護(hù)步驟使用去離子水清潔該基材、該柵極結(jié)構(gòu)與該第一材料層。

12.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中該保護(hù)步驟使用一氣體氧。

13.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中該保護(hù)步驟使用一等離子體氧。

14.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中該保護(hù)步驟使用一濕式化學(xué)處理。

15.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，還包含：

進(jìn)行該保護(hù)步驟，而同時(shí)改質(zhì)該第一材料層與一硬掩模，其中該硬掩模包含氮化物，而用來(lái)界定該柵極結(jié)構(gòu)；

在該保護(hù)步驟后，形成包圍該第一材料層的該第二材料層作為一犧牲間隙壁；

在該犧牲間隙壁包圍該第一材料層時(shí)，對(duì)該硬掩模專門進(jìn)行一去改質(zhì)步驟；以及

在進(jìn)行該去改質(zhì)步驟后進(jìn)行該移除步驟，而同時(shí)移除該第二材料層與部分該硬掩模。