[發(fā)明專利]一種玻璃封裝二極管型熱敏電阻的加工工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210126643.1 | 申請(qǐng)日: | 2012-04-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102664080A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-09-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 苑廣軍;苑廣禮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 恒新基電子(青島)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01C7/02 | 分類號(hào): | H01C7/02;H01C7/04 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人: | 朱雅男 |
| 地址: | 266208 山東省*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 玻璃封裝 二極管 熱敏電阻 加工 工藝 | ||
1.一種玻璃封裝二極管型熱敏電阻的加工工藝,其特征在于,所述加工工藝包括:
在熱敏電阻芯片上涂覆電極材料,制成帶有電極的芯片;
使用銀焊料將所述帶有電極的芯片焊接到引線上,形成熱敏電阻;
采用玻璃封裝工藝對(duì)所述熱敏電阻進(jìn)行封裝,得所述玻璃封裝二極管型熱敏電阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃封裝二極管型熱敏電阻的加工工藝,其特征在于,所述采用玻璃封裝工藝對(duì)所述熱敏電阻進(jìn)行封裝,得所述玻璃封裝二極管型熱敏電阻之后,還包括:
給所述玻璃封裝二極管型熱敏電阻的玻璃體包裹硅膠保護(hù)層和/或環(huán)氧樹(shù)脂保護(hù)層;
包裹完后,按使用需要將所述玻璃封裝二極管型熱敏電阻加工成型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃封裝二極管型熱敏電阻的加工工藝,其特征在于,所述在熱敏電阻芯片上涂覆電極材料,制成帶有電極的芯片,具體包括:
將銀漿稀釋后印刷在所述熱敏電阻芯片上;
將印刷后的所述熱敏電阻芯片放入燒結(jié)爐中高溫?zé)Y(jié),形成帶有電極的芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃封裝二極管型熱敏電阻的加工工藝,其特征在于,所述使用銀焊料將所述帶有電極的芯片焊接到引線上,形成熱敏電阻,具體包括:
通過(guò)自動(dòng)浸漬設(shè)備給引線觸點(diǎn)浸漬銀焊料;
浸漬完成后把所述引線及所述帶有電極的芯片擺放到定位槽內(nèi),使所述引線觸點(diǎn)與所述帶有電極的芯片接觸;
通過(guò)加壓使所述引線觸點(diǎn)與所述帶有電極的芯片壓緊;
采用自動(dòng)焊接機(jī)焊接所述引線觸點(diǎn)及所述帶有電極的芯片,形成熱敏電阻。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的玻璃封裝二極管型熱敏電阻的加工工藝,其特征在于,所述給所述玻璃封裝二極管型熱敏電阻的玻璃體包裹硅膠保護(hù)層和/或環(huán)氧樹(shù)脂保護(hù)層,具體包括:
通過(guò)浸漬設(shè)備給所述玻璃封裝二極管型熱敏電阻的玻璃體浸漬硅膠,浸漬后所述二極管型熱敏電阻進(jìn)入烘烤圓盤,在所述烘烤圓盤上在100℃下烘烤20分鐘使浸漬的硅膠固化;或/和
通過(guò)浸漬設(shè)備給所述玻璃封裝二極管型熱敏電阻的玻璃體浸漬環(huán)氧樹(shù)脂,浸漬后所述二極管型熱敏電阻進(jìn)入烘烤圓盤,在所述烘烤圓盤上在105℃下烘烤3小時(shí)使浸漬的環(huán)氧樹(shù)脂固化。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的玻璃封裝二極管型熱敏電阻的加工工藝,其特征在于,所述采用自動(dòng)焊接機(jī)焊接所述引線觸點(diǎn)及所述帶有電極的芯片,形成熱敏電阻,具體包括:
對(duì)自動(dòng)焊接機(jī)進(jìn)行參數(shù)設(shè)置,具體為:將氣壓設(shè)置為5±0.5Kgf/cm2,溫區(qū)溫度設(shè)置為1區(qū)690℃、2區(qū)710℃及3區(qū)750℃,預(yù)熱溫度及時(shí)間設(shè)置為100℃下預(yù)熱20S;
設(shè)置完成后用所述自動(dòng)焊接機(jī)焊接所述引線觸點(diǎn)及所述帶有電極的芯片,形成熱敏電阻。
7.根據(jù)權(quán)利要求6述的玻璃封裝二極管型熱敏電阻的加工工藝,其特征在于,所述設(shè)置完成后用所述自動(dòng)焊接機(jī)焊接所述引線觸點(diǎn)及所述帶有電極的芯之后,還包括:
焊接完成后對(duì)得到的所述熱敏電阻進(jìn)行超聲清洗,清洗液為丁酮;
清洗后將所述得到的所述熱敏電阻放入烤箱內(nèi),在100℃下烘烤50分鐘。
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