[發(fā)明專利]一種單斜相氧化鋯納米晶粉體的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210126336.3 | 申請日： | 2012-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN102627323A | 公開（公告）日： | 2012-08-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉祿;陳玉金;張建中;張新陸 | 申請（專利權(quán)）人： | 哈爾濱工程大學(xué) |
| 主分類號： | C01G25/02 | 分類號： | C01G25/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 150001 黑龍江省哈爾濱市南崗區(qū)*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 單斜 氧化鋯 納米 晶粉體 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種單斜相氧化鋯納米晶粉體的制備方法，其特征是：按照摩爾比為0.0025-0.01∶1的配比將Li2CO3和Zr(NO3)4分別溶解于去離子水中，攪拌至溶液澄清，加入與溶液中陽離子的摩爾比為4∶1的檸檬酸，再調(diào)節(jié)溶液pH值至6.5-7.5，攪拌至形成溶膠；將上述溶膠在130℃溫度下干燥形成干凝膠；最后在600℃-1000℃下燒結(jié)，得到單斜相氧化鋯納米晶粉體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單斜相氧化鋯納米晶粉體的制備方法，其特征是：燒結(jié)溫度為600℃-700℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種單斜相氧化鋯納米晶粉體的制備方法，其特征是：燒結(jié)時間為2小時。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種單斜相氧化鋯納米晶粉體的制備方法，其特征是：在130℃溫度下干燥的干燥時間為20小時。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種單斜相氧化鋯納米晶粉體的制備方法，其特征是：在130℃溫度下干燥的干燥時間為20小時。
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