[發(fā)明專利]一種吸收電容結構

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210125841.6
• 申請日: 2012-04-26
• 公開（公告）號: CN102693839A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發(fā)明（設計）人: 金紅旗;李彥棟;黎捷勇
• 申請（專利權）人: 美的集團有限公司
• 主分類號: H01G4/38
• 分類號: H01G4/38;H01G4/224;H01G4/236
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 禹小明

技術領域

?本發(fā)明涉及吸收電容器，特別是一種應用在橋式逆變回路上的一體化吸收電容結構。

背景技術

商用電磁爐通常采用半橋或全橋逆變拓撲結構，在高頻逆變過程中為了實現開關器件的軟開關，通常需要增加吸收電容做緩沖電路，以降低關斷時刻的開關損耗。由于處于高的關斷電流條件下，吸收電容自身發(fā)熱嚴重。現有的吸收電容通常為分立結構，吸收電容與IGBT的CE極比較遠，引腳比較長，雜散電感較大，吸收效果比較差；另外由于受到IGBT封裝模塊的影響，吸收電容安裝不方便。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于針對上述現有的問題而提供一種吸收電容結構，可以降低引腳的雜散電感，提高吸收電容的吸收效果，同時提高系統的可裝配性，降低吸收電容的溫度，增加吸收電容的可靠性。

實現本發(fā)明目的的技術方案是：一種吸收電容結構，其特征在于，其為兩個一體化封裝結構的電容，且設有能與IGBT管腳一一對應分別直接連接的端子。?

上述吸收電容包括第一電容芯子、第二電容芯子、第一端子、第二端子和第三端子，所述第一端子通過焊點與第一電容芯子的下端面相連；第二端子通過焊點與第二電容芯子的下端面相連；第三端子分別通過焊點與第一電容芯子的上端面、第二電容芯子上端面相連。

上述吸收電容通過填充物灌封于電容外殼中，所述端子從電容外殼中引出。

使用時，將本發(fā)明的第一端子、第二端子、第三端子分別與IGBT的三個管腳直接連接，形成本發(fā)明與IGBT直接并聯的結構。

本發(fā)明的有益效果是，將電容模塊做一體化設計，通過內部封裝，引出與IGBT管腳一一對應的三根端子，直接并聯在IGBT的模塊上，具有裝配方便，同時電容與IGBT模塊等高，可以很方便地固定在IGBT模塊的散熱器上，有利于器件的散熱。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的整體與IGBT連接的示意圖；

圖2為本發(fā)明展開的具體結構示意圖；

圖３為本發(fā)明展開的另一視角具體結構示意圖；

圖４為本發(fā)明灌封完成后的結構示意圖；

圖５為本發(fā)明與IGBT連接的電氣原理圖。

具體實施方式

下面結合實施例和附圖對本發(fā)明作進一步說明。

如圖2、圖3、圖4所示，本發(fā)明包括有第一電容芯子14、第二電容芯子15、第一端子11、第二端子12、第三端子13、電容外殼16和填充物17；第一端子11通過焊點143與第一電容芯子14的下端面相連；第二端子12通過焊點153與第二電容芯子15的下端面相連；第三端子13通過焊點142與第一電容芯子14的上端面相連，通過焊點152與第二電容芯子15上端面相連；然后通過填充物17灌封于電容外殼16中，第一端子11、第二端子12、第三端子13從電容外殼16中引出，構成兩個一體化封裝結構的電容結構，本實施例中，填充物17采用環(huán)氧樹脂。

本發(fā)明使用時，如圖1、圖5所示，它的第一端子11、第二端子12、第三端子13分別與對應的IGBT模塊2的第一管腳21、第二管腳22、第三23直接相連。

本發(fā)明通過將逆變電路中，IGBT兩端的吸收電容進行一體化封裝，使吸收電容的端子與IGBT的管腳一一對應，方便裝配，同時此種結構吸收電容的引線相對比較短，可以有效地降低雜散電感；另外，吸收電容還可以直接固定在散熱片上，其與IGBT等高的一體化設計，可以很方便的利用IGBT散熱器對吸收電容進行散熱，降低吸收電容的溫升，有效地提高吸收電容的可靠性。