[發(fā)明專利]用于將平面設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換為FinFET設(shè)計(jì)的系統(tǒng)和方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210125531.4 | 申請(qǐng)日: | 2012-04-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102779201A | 公開(公告)日: | 2012-11-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林以唐;李焯基;陳姝妤;張祐寧;陳小惠;張智勝;陳建文;萬(wàn)幸仁 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06F17/50 | 分類號(hào): | G06F17/50 |
| 代理公司: | 北京德恒律師事務(wù)所 11306 | 代理人: | 陸鑫;房嶺梅 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 平面設(shè)計(jì) 轉(zhuǎn)換 finfet 設(shè)計(jì) 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種生成FinFET結(jié)構(gòu)布局的方法,包括:
接收用于集成電路(IC)設(shè)計(jì)的平面結(jié)構(gòu)布局,所述平面結(jié)構(gòu)布局包括多個(gè)平面有源區(qū)域;
生成多個(gè)FinFET有源區(qū)域,所述多個(gè)FinFET有源區(qū)域與所述多個(gè)平面有源區(qū)域相對(duì)應(yīng);
對(duì)于每個(gè)FinFET有源區(qū)域,使用FinFET有源區(qū)域?qū)挾扰c平面有源區(qū)域?qū)挾鹊闹付▽挾缺扔?jì)算最優(yōu)FinFET有源區(qū)域?qū)挾龋灰约?/p>
根據(jù)所述最優(yōu)FinFET有源區(qū)域?qū)挾龋诿總€(gè)FinFET有源區(qū)域中生成芯軸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,F(xiàn)inFET有源區(qū)域?qū)挾扰c平面有源區(qū)域?qū)挾鹊乃鲋付▽挾缺葹?.9。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,根據(jù)所述最優(yōu)FinFET有源區(qū)域?qū)挾仍诿總€(gè)FinFET有源區(qū)域中生成芯軸包括:在每個(gè)FinFET有源區(qū)域中生成多個(gè)芯軸,使得所述FinFET有源區(qū)域?qū)挾雀咏鲎顑?yōu)FinFET有源區(qū)域?qū)挾取?/p>
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,F(xiàn)inFET有源區(qū)域?qū)挾扰c平面有源區(qū)域?qū)挾鹊乃鲋付▽挾缺扔捎贔inFET有源區(qū)域?qū)щ婎愋投煌?/p>
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:
輸出用于所述IC設(shè)計(jì)的FinFET結(jié)構(gòu)布局。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:檢查設(shè)計(jì)規(guī)則以避免任何空間上的違規(guī)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:
確定用于FinFET有源區(qū)域的貝塔數(shù);
確定用于平面有源區(qū)域的貝塔數(shù),所述平面有源區(qū)域與所述FinFET有源區(qū)域相對(duì)應(yīng);以及
調(diào)節(jié)所述FinFET有源區(qū)域中的芯軸,使得所述FinFET有源區(qū)域的貝塔數(shù)與所述平面有源區(qū)域的貝塔數(shù)的貝塔比在預(yù)定的最優(yōu)貝塔比范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,所述預(yù)定的最優(yōu)貝塔比范圍為大約0.85至大約1.15。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,所述預(yù)定的最優(yōu)貝塔比范圍為大約1.05。
10.一種生成FinFET結(jié)構(gòu)布局的方法,包括:
接收用于IC設(shè)計(jì)的平面結(jié)構(gòu)布局,所述平面結(jié)構(gòu)布局包括多個(gè)平面有源區(qū)域;
生成多個(gè)FinFET有源區(qū)域,所述多個(gè)FinFET有源區(qū)域與多個(gè)平面結(jié)構(gòu)有源區(qū)域相對(duì)應(yīng);
在所述多個(gè)FinFET有源區(qū)域的每一個(gè)中生成芯軸;
對(duì)于每個(gè)FinFET有源區(qū)域,計(jì)算FinFET有源區(qū)域?qū)挾认鄬?duì)于用于對(duì)應(yīng)平面有源區(qū)域的平面有源區(qū)域?qū)挾鹊膶挾缺龋灰约?/p>
如果所計(jì)算的寬度比小于指定的寬度比,則優(yōu)化每個(gè)FinFET有源區(qū)域中的芯軸。
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