[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201210125520.6
• 申請日: 2012-04-25
• 公開（公告）號: CN102983129B
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 黃盛珉
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L25/13
• 分類號: H01L25/13;H01L33/48
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 蔡勝有,董文國

1.一種發光器件，包括：

導電支撐構件；

包括第一段和第二段的發光結構，

其中所述第一段包括設置在所述導電支撐構件上并且摻雜有第一摻雜劑的第一半導體層、摻雜有第二摻雜劑的第二半導體層、以及在所述第一半導體層與所述第二半導體層之間的第一有源層；

其中所述第二段包括設置在所述第一段上并且摻雜有所述第一摻雜劑的具有暴露出的區域的第三半導體層、設置在除了所述暴露出的區域之外的所述第三半導體層上的并且摻雜有所述第二摻雜劑的第四半導體層、以及在所述第三半導體層與所述第四半導體層之間的第二有源層；以及

其中從所述第一半導體層到所述第四半導體層形成有第二溝槽；

設置在所述導電支撐構件與所述第一半導體層之間的第一電極，所述第一電極電連接至所述第一半導體層；

設置在所述第二溝槽中的第二電極，所述第二電極電連接至所述第四半導體層和所述第一電極；以及

插入到垂直地穿透所述第三半導體層的所述暴露出的區域中的孔中以設置在所述暴露出的區域和所述第二半導體層上的第三電極，所述第三電極電連接至所述第二半導體層和所述第三半導體層。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述孔的深度是所述第三半導體層的厚度的1倍至3倍。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述孔的寬度是所述暴露出的區域的寬度的0.3倍至0.9倍。

4.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第二半導體層在對應于所述孔的位置處形成有凹部。

5.根據權利要求4所述的發光器件，其中所述凹部的寬度是所述孔的寬度的0.5倍至1倍。

6.一種發光器件，包括：

包括第一支撐部和與所述第一支撐部間隔開的第二支撐部的導電支撐構件；

包括第一段和第二段的發光結構，其中

所述第一段包括設置在所述第一支撐部和所述第二支撐部上并且摻雜有第一摻雜劑的第一半導體層、摻雜有第二摻雜劑的第二半導體層、以及在所述第一半導體層與所述第二半導體層之間的第一有源層；

其中所述第二段包括設置在所述第一段上并且摻雜有所述第一摻雜劑的第三半導體層、設置在所述第三半導體層上并且摻雜有所述第二摻雜劑的第四半導體層、以及在所述第三半導體層與所述第四半導體層之間的第二有源層；

其中在所述第一支撐部上形成有從所述第一半導體層延伸至所述第四半導體層的第二溝槽；以及

其中所述第二支撐部上形成有從所述第一半導體層延伸至所述第三半導體層的第三溝槽；

設置在所述第一支撐部與所述第一半導體層之間的第一電極，所述第一電極電連接至所述第一支撐部和所述第一半導體層；

設置在所述第二溝槽中并且電連接至所述第四半導體層和所述第一電極的第二電極；以及

設置為與所述第三溝槽內的所述第二半導體層和所述第三半導體層的暴露出的部分接觸的第三電極，所述第三電極電連接至所述第二半導體層和所述第三半導體層。

7.根據權利要求1或6所述的發光器件，其中所述第一段的厚度等于或大于所述第二段的厚度。

8.根據權利要求1或6所述的發光器件，還包括在所述第一段與所述第二段之間的中間層。

9.根據權利要求8所述的發光器件，其中所述中間層包括：

設置在所述第一段上的第一中間層；以及

設置在所述第二段與所述第一中間層之間的第二中間層。

10.根據權利要求9所述的發光器件，其中所述第一中間層的能帶隙與所述第二中間層的能帶隙不同。

11.根據權利要求9所述的發光器件，其中所述第一中間層的折射率與所述第二中間層的折射率不同。

12.根據權利要求9所述的發光器件，其中所述第一中間層和所述第二中間層中的至少之一的電阻小于所述第二半導體層和所述第三半導體層中的至少之一的電阻。

13.根據權利要求9所述的發光器件，其中所述中間層包括在所述第一中間層與所述第二中間層之間的第三中間層；以及

其中所述第三中間層的電阻大于所述第一中間層和所述第二中間層中的至少之一的電阻。