[發明專利]半導體存儲器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210125455.7
• 申請日: 2012-04-26
• 公開（公告）號: CN102760739A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 徐順玉;李相范;金世峻
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;俞波

1.一種半導體存儲器件，包括：

多個存儲塊，所述多個存儲塊形成于包括源極區的襯底之上并由縫隙彼此隔開；

多個位線，所述多個位線耦接到存儲塊的串并被設置在所述存儲塊之上；以及

形成于所述縫隙內的源極接觸線，所述源極接觸線分別耦接到所述源極區并被設置在與所述多個位線交叉的方向上。

2.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，源極接觸線中的每個都為從所述襯底垂直延伸的薄板的形式。

3.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述串的每個包括：

形成于所述源極區之上的下選擇晶體管；

形成于所述下選擇晶體管之上的上選擇晶體管；以及

層疊在所述下選擇晶體管和所述上選擇晶體管之間的多個存儲器單元。

4.如權利要求3所述的半導體存儲器件，其中，所述源極接觸線從所述源極區垂直延伸到所述多個存儲器單元。

5.如權利要求4所述的半導體存儲器件，還包括：

層間電介質層，所述層間電介質層被形成為覆蓋所述源極接觸線和所述多個位線；

通孔接觸插塞，所述通孔接觸插塞被形成為穿透所述層間電介質層并分別耦接到所述源極接觸線；以及

公共源極線，所述公共源極線被形成于所述層間電介質層上以在與所述源極接觸線的延伸方向相同的方向上延伸并且耦接到所述通孔接觸插塞。

6.如權利要求5所述的半導體存儲器件，其中，所述通孔接觸插塞被設置在所述多個位線中的相鄰的位線之間。

7.如權利要求4所述的半導體存儲器件，還包括：在所述縫隙的每個的內壁與所述源極接觸線的每個之間形成的塊絕緣層。

8.如權利要求3所述的半導體存儲器件，其中，所述源極接觸線從所述源極區垂直地延伸到所述下選擇晶體管。

9.如權利要求8所述的半導體存儲器件，還包括：形成于所述縫隙的每個的內壁和所述源極接觸線的每個上的第一塊絕緣層。

10.如權利要求9所述的半導體存儲器件，還包括：

第二塊絕緣層，所述第二塊絕緣層被形成于所述第一塊絕緣層和所述源極接觸線之上并形成為填充所述縫隙；

第一通孔接觸插塞，所述第一通孔接觸插塞被形成為穿透所述第二塊絕緣層并分別耦接到所述源極接觸線；

層間電介質層，所述層間電介質層被形成為覆蓋所述第一通孔接觸插塞和所述多個位線；

第二通孔接觸插塞，所述第二通孔接觸插塞被形成為穿透所述層間電介質層并分別耦接到所述第一通孔接觸插塞；以及

公共源極線，所述公共源極線被形成于所述層間電介質層上以在與所述源極接觸線的延伸方向相同的方向上延伸并且耦接到所述第二通孔接觸插塞。

11.如權利要求10所述的半導體存儲器件，其中，所述第一通孔接觸插塞和所述第二通孔接觸插塞被設置在所述多個位線中的相鄰的位線之間。

12.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述源極區的每個都為形成于所述襯底上的摻雜多晶硅層。

13.如權利要求12所述的半導體存儲器件，還包括：

源極溝槽，所述源極溝槽被形成為穿透所述縫隙之下的所述摻雜多晶硅層；

粘合層，所述粘合層被形成于所述源極溝槽的每個的表面上；以及

下源極接觸線，所述下源極接觸線被形成于所述粘合層上并被形成為填充各個所述源極溝槽。

14.一種制造半導體存儲器件的方法，包括以下步驟：

在包括源極區的襯底上形成由縫隙彼此隔開的多個存儲塊；

形成源極接觸線，所述源極接觸線被設置在所述縫隙內并分別耦接到所述源極區；以及

在包括所述源極接觸線的結構之上形成多個位線。

15.如權利要求14所述的方法，其中，形成由所述縫隙彼此隔開的多個存儲塊的步驟包括以下步驟：

在所述源極區之上形成多個下選擇晶體管；

在所述多個下選擇晶體管之上形成多層存儲器單元；

經由所述存儲塊的所述縫隙分離所述多個下選擇晶體管和所述多層存儲器單元；以及

在由所述縫隙分離的所述多層存儲器單元之上形成多個上選擇晶體管。