[發明專利]非線性光學晶體硼酸氧鎘釔

無效

• 申請號: 201210125306.0
• 申請日: 2012-04-25
• 公開（公告）號: CN102660773A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發明（設計）人: 葉寧;鄒國紅
• 申請（專利權）人: 中國科學院福建物質結構研究所
• 主分類號: C30B29/22
• 分類號: C30B29/22;C30B9/12;C01B35/18;G02F1/355;G02F1/37;G02F1/39
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1.化合物硼酸氧鎘釔，其特征在于：其化學式Cd₄YO(BO₃)₃，屬于單斜晶系，空間群為Cm，晶胞參數為?α＝γ＝90°，β＝100.088°，z＝2，單胞體積為?

2.一種權利要求1的硼酸氧鎘釔化合物的制備方法，其特征在于：將含Cd、Y和B的化合物原料按適當比例均勻混合研磨后，緩慢升溫300～400℃后，預燒1～5小時；冷卻至室溫，取出研磨；然后在800～900℃下燒結12～20小時，冷卻至室溫即可獲得硼酸氧鎘釔化合物。

3.權利要求1的化合物硼酸氧鎘釔的非線性光學晶體。

4.一種權利要求3所述的硼酸氧鎘釔非線性光學晶體的生長方法，采用熔鹽法生長，其特征在于：以B₂O₃為助熔劑生長，以B為基準時溶質與溶劑摩爾比為1/2～1/1，將原料按上述比例混合均勻，升溫1150～1200℃至原料完全熔化，恒溫1～20小時后，迅速降溫至飽和溫度以上5～10℃，然后按每日1～5℃的速率降溫至800℃，關閉爐子；待樣品冷卻至室溫后，用水洗去助熔劑，即獲得所述的硼酸氧鎘釔非線性光學晶體。

5.一種權利要求3所述的硼酸氧鎘釔非線性光學晶體的生長方法，采用熔鹽法生長，其特征在于：采用B₂O₃助熔劑體系，以B為基準時溶質與溶劑摩爾比為1/2～1/1，將原料按上述比例混合均勻，升溫1150～1200℃至原料完全熔化，恒溫1～20小時后，迅速降溫至飽和溫度以上5～10℃，將籽晶固定在籽晶桿的下端與熔體液面接觸開始晶體生長；籽晶桿的旋轉速度為10～20轉/分，降溫至飽和溫度，然后按1～5℃/天的速率緩慢降溫；降溫結束后將晶體提離液面，以10～30℃/小時的速率降至室溫，獲得所述的硼酸氧鎘釔非線性光學晶體。

6.一種權利要求3所述的硼酸氧鎘釔非線性光學晶體的用途，其特征在于：??該非線性光學晶體用于激光器激光輸出的頻率變換。

7.一種權利要求6所述的硼酸氧鎘釔非線性光學晶體的用途，其特征在于：該晶體用于對波長為1.064μm的激光光束產生2倍頻或3倍頻諧波光輸出。

8.一種權利要求6所述的硼酸氧鎘釔非線性光學晶體的用途，其特征在于：所述的非線性光學晶體用于制備紫外區的諧波發生器，光參量與放大器件及光波導器件。

9.一種權利要求6所述的硼酸氧鎘釔非線性光學晶體的用途，其特征在于：所述的非線性光學晶體用于制備從紅外到紫外區的光參量與放大器件。?