[發(fā)明專利]非線性光學(xué)晶體硼酸氧鎘釓

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210125228.4
• 申請(qǐng)日: 2012-04-25
• 公開（公告）號(hào): CN102660771A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉寧;鄒國紅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所
• 主分類號(hào): C30B29/22
• 分類號(hào): C30B29/22;C30B9/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.化合物硼酸氧鎘釓，其特征在于：其化學(xué)式Cd₄GdO(BO₃)₃，屬于單斜晶系，空間群為Cm，晶胞參數(shù)為?α＝γ＝90°，β＝100.22°，z＝2，單胞體積為?

2.一種權(quán)利要求1的硼酸氧鎘釓化合物的制備方法，其特征在于：將含Cd、Gd和B的化合物原料按適當(dāng)比例均勻混合研磨后，緩慢升溫300～400℃后，預(yù)燒1～5小時(shí)；冷卻至室溫，取出研磨；然后在800～900℃下燒結(jié)12～20小時(shí)，冷卻至室溫即可獲得硼酸氧鎘釓化合物。

3.權(quán)利要求1的化合物硼酸氧鎘釓的非線性光學(xué)晶體。

4.一種權(quán)利要求3所述的硼酸氧鎘釓非線性光學(xué)晶體的生長方法，采用熔鹽法生長，其特征在于：以B₂O₃為助熔劑生長，以B為基準(zhǔn)時(shí)溶質(zhì)與溶劑摩爾比為1/2～1/1，將原料按上述比例混合均勻，升溫1150～1200℃至原料完全熔化，恒溫1～20小時(shí)后，迅速降溫至飽和溫度以上5～10℃，然后按每日1～5℃的速率降溫至800℃，關(guān)閉爐子；待樣品冷卻至室溫后，用水洗去助熔劑，即獲得所述的硼酸氧鎘釓非線性光學(xué)晶體。

5.一種權(quán)利要求3所述的硼酸氧鎘釓非線性光學(xué)晶體的生長方法，采用熔鹽法生長，其特征在于：采用B₂O₃助熔劑體系，以B為基準(zhǔn)時(shí)溶質(zhì)與溶劑摩爾比為1/2～1/1，將原料按上述比例混合均勻，升溫1150～1200℃至原料完全熔化，恒溫1～20小時(shí)后，迅速降溫至飽和溫度以上5～10℃，將籽晶固定在籽晶桿的下端與熔體液面接觸開始晶體生長；籽晶桿的旋轉(zhuǎn)速度為10～20轉(zhuǎn)/分，降溫至飽和溫度，然后按1～5℃/天的速率緩慢降溫；降溫結(jié)束后將晶體提離液面，以10～30℃/小時(shí)的速率降至室溫，獲得所述的硼酸氧鎘釓非線性光學(xué)晶體。

6.一種權(quán)利要求3所述的硼酸氧鎘釓非線性光學(xué)晶體的用途，其特征在于：?該非線性光學(xué)晶體用于激光器激光輸出的頻率變換。

7.一種權(quán)利要求6所述的硼酸氧鎘釓非線性光學(xué)晶體的用途，其特征在于：該晶體用于對(duì)波長為1.064μm的激光光束產(chǎn)生2倍頻或3倍頻諧波光輸出。

8.一種權(quán)利要求6所述的硼酸氧鎘釓非線性光學(xué)晶體的用途，其特征在于：所述的非線性光學(xué)晶體用于制備紫外區(qū)的諧波發(fā)生器，光參量與放大器件及光波導(dǎo)器件。

9.一種權(quán)利要求6所述的硼酸氧鎘釓非線性光學(xué)晶體的用途，其特征在于：所述的非線性光學(xué)晶體用于制備從紅外到紫外區(qū)的光參量與放大器件。?