[發(fā)明專利]SiC顆粒表面鍍鎢的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210125165.2 | 申請日： | 2012-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN102642025A | 公開（公告）日： | 2012-08-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉磊;吳忠;沈彬;胡文彬 | 申請（專利權）人： | 上海交通大學 |
| 主分類號： | B22F1/02 | 分類號： | B22F1/02 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭國中 |
| 地址： | 200240 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sic 顆粒 表面 方法 | ||
1.一種SiC顆粒表面鍍鎢的方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一、對SiC顆粒表面進行氫氟酸清洗及粗化處理；
步驟二、對步驟一處理后的SiC顆粒進行活化-敏化處理；
步驟三、將步驟二處理后的SiC顆粒浸滯在偏鎢酸銨溶液中進行浸滯處理；
步驟四、將步驟三處理后的SiC顆粒低溫烘干后用氫氣進行還原，得到鍍覆鎢的SiC顆粒。
2.根據權利要求1所述的SiC顆粒表面鍍鎢的方法，其特征在于，所述步驟一中的氫氟酸質量百分比濃度為10～30％。
3.根據權利要求1所述的SiC顆粒表面鍍鎢的方法，其特征在于，所述步驟一中的清洗及粗化處理具體為：將SiC顆粒放入氫氟酸，超聲振蕩，取出用去離子水沖洗，低溫烘干。
4.根據權利要求1所述的SiC顆粒表面鍍鎢的方法，其特征在于，所述步驟二中活化-敏化液的配制為：每升活化-敏化液包含PdCl2?0.25g、SnCl2?15g、NaCl?80g、HCl0.1L以及余量的水。
5.根據權利要求1所述的SiC顆粒表面鍍鎢的方法，其特征在于，所述步驟二中浸滯處理具體為：將步驟一處理后的SiC顆粒浸沒在活化-敏化液中，50～70℃超聲處理，去離子水清洗，低溫烘干。
6.根據權利要求1所述的SiC顆粒表面鍍鎢的方法，其特征在于，所述步驟三中偏鎢酸溶液的濃度為200～280g/L。
7.根據權利要求1所述的SiC顆粒表面鍍鎢的方法，其特征在于，所述步驟三中浸滯處理具體為：將步驟二處理后的SiC顆粒浸滯在偏鎢酸銨溶液中，超聲振蕩20～30分鐘。
8.根據權利要求1所述的SiC顆粒表面鍍鎢的方法，其特征在于，所述步驟四中低溫烘干溫度為50～70℃。
9.根據權利要求1所述的SiC顆粒表面鍍鎢的方法，其特征在于，所述步驟四中用氫氣還原具體為：將步驟三處理后的SiC顆粒在氫氣氣氛下于800～900℃還原2～3小時，冷卻后取出。
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