[發明專利]包括磁性材料的電極和包括該電極的有機發光裝置無效
| 申請號: | 201210125151.0 | 申請日: | 2012-04-25 |
| 公開(公告)號: | CN102842684A | 公開(公告)日: | 2012-12-26 |
| 發明(設計)人: | 李濬九;金元鍾;鄭知泳;崔鎮百;李娟和;李昌浩;吳一洙;宋炯俊;尹振渶;宋英宇;李鐘赫 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包括 磁性材料 電極 有機 發光 裝置 | ||
1.一種用于有機發光裝置的電極,包括:
金屬層;以及
傳導透明層,形成在所述金屬層上,所述傳導透明層包括透明傳導氧化物和磁性材料。
2.如權利要求1所述的電極,所述金屬層包括銀(Ag)。
3.如權利要求1所述的電極,所述金屬層的厚度為到的范圍。
4.如權利要求1所述的電極,所述傳導透明層的厚度為到的范圍。
5.如權利要求1所述的電極,所述傳導透明層的功函數為4.8eV到6.5eV的范圍。
6.如權利要求1所述的電極,所述透明傳導氧化物包括選自由ITO、AZO、IGO、GIZO、IZO、以及ZnOx組成的組中的至少一種。
7.如權利要求1所述的電極,所述磁性材料包括選自由Ni、Co、Fe、Mn、Bi、FeO-Fe2O3、NiO-Fe2O3、CuO-Fe2O3、MgO-Fe2O3、MnBi、MnSb、MnAs、MnO-Fe2O3、Y3Fe2O3、CrO2、以及EuO中組成的組的至少一種。
8.如權利要求1所述的電極,包含在所述傳導透明層中的所述磁性材料的含量為所述傳導透明層的全部重量的1%到30%的重量。
9.如權利要求1所述的電極,在所述傳導透明層中,所述透明傳導氧化物形成矩陣并且所述磁性材料摻雜在由所述透明傳導氧化物形成的所述矩陣中。
10.如權利要求9所述的電極,所述傳導透明層由包括所述透明傳導氧化物和所述磁性材料的原材料通過濺射或者沉積形成。
11.如權利要求1所述的電極,所述傳導透明層包括由所述磁性材料制成的薄膜,由所述磁性材料制成的薄膜設置在由所述透明傳導氧化物制成的薄膜上。
12.如權利要求11所述的電極,由所述磁性材料制成的薄膜的厚度為到的范圍。
13.如權利要求11所述的電極,由所述透明傳導氧化物制成的薄膜的厚度為到的范圍。
14.如權利要求1所述的電極,所述電極為反射電極。
15.如權利要求1所述的電極,所述電極為陽極。
16.一種制造用于有機發光裝置的電極的方法,所述方法包括:
在基底上形成金屬層;以及
在所述金屬層上形成傳導透明層,所述傳導透明層通過濺射工藝或沉積工藝使用包括透明傳導氧化物和磁性材料的原材料形成。
17.如權利要求16所述的方法,形成所述傳導透明層的步驟包括:
通過使用所述透明傳導氧化物,在所述金屬層上形成由所述透明傳導氧化物制成的薄膜;以及
在由所述透明傳導氧化物制成的薄膜上形成由所述磁性材料制成的薄膜。
18.如權利要求16所述的方法,在形成所述傳導透明層的步驟中,同時使用所述透明傳導氧化物和所述磁性材料來進行所述濺射工藝或所述沉積工藝以形成使用所述透明傳導材料的矩陣,并且所述磁性材料被摻雜在由所述透明傳導氧化物形成的矩陣中。
19.一種用于有機發光裝置的陰極,包括金屬材料和磁性材料。
20.如權利要求19所述的陰極,所述金屬包括Ag、MgAg、以及AgYg中的至少一種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





