[發明專利]占空比調整電路

有效

• 申請號: 201210124638.7
• 申請日: 2012-04-25
• 公開（公告）號: CN102638246B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發明（設計）人: 陳丹鳳
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H03K3/017
• 分類號: H03K3/017
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種占空比調整電路，用于調整第一時鐘信號的占空比，以得到第三時鐘信號，其特征在于，包括：脈寬調整單元、整形單元和反饋單元；其中，

所述脈寬調整單元，輸入所述第一時鐘信號和控制信號，輸出第二時鐘信號；

所述整形單元，輸入所述第二時鐘信號，輸出所述第三時鐘信號；

所述反饋單元包括：二分頻器和控制信號產生單元；所述二分頻器輸入所述第三時鐘信號，輸出第四時鐘信號；所述控制信號產生單元輸入所述第三時鐘信號和第四時鐘信號，輸出所述控制信號。

2.如權利要求1所述的占空比調整電路，其特征在于，所述脈寬調整單元包括：第一晶體管和第二晶體管；

所述第一晶體管的柵極輸入所述控制信號，所述第二晶體管的柵極輸入所述第一時鐘信號；

所述第一晶體管的漏極與所述第二晶體管的漏極相連接輸出所述第二時鐘信號；

所述第一晶體管的源極連接第一電壓源，所述第二晶體管的源極連接第二電壓源。

3.如權利要求1所述的占空比調整電路，其特征在于，所述整形單元包括多個串接的反相器。

4.如權利要求3所述的占空比調整電路，其特征在于，所述控制信號產生單元包括：第一電荷泵、第二電荷泵、放大器、第一電容、第二電容和第三電容；

所述第一電荷泵的輸入端輸入所述第三時鐘信號，輸出端與所述第一電容的第一端相連接；

所述第二電荷泵的輸入端輸入所述第四時鐘信號，輸出端與所述第二電容的第一端相連接；

所述放大器的同相輸入端與所述第一電容的第一端相連接，反向輸入端與所述第二電容的第一端相連接，輸出端與所述第三電容的第一端相連接，輸出所述控制信號；

所述第一電容的第二端、第二電容的第二端和第三電容的第二端分別連接接地電壓源。

5.如權利要求4所述的占空比調整電路，其特征在于，所述整形單元包括奇數個串接的反相器，所述放大器的同向輸出端與所述第三電容的第一端相連接。

6.如權利要求4所述的占空比調整電路，其特征在于，所述整形單元包括偶數個串接的反相器，所述放大器的反向輸出端與所述第三電容的第一端相連接。

7.如權利要求4所述的占空比調整電路，其特征在于，所述第一電荷泵包括：第一電流源、第二電流源、第三晶體管和第四晶體管；

所述第一電流源的第一端連接電源電壓源，第二端與所述第三晶體管的源極相連接；

所述第二電流源的第一端與所述第四晶體管的源極相連接，第二端連接接地電壓源；

所述第三晶體管的柵極與所述第四晶體管的柵極相連接輸入所述第三時鐘信號，所述第三晶體管的漏極、第四晶體管的漏極與所述第一電容的第一端相連接。

8.如權利要求7所述的占空比調整電路，其特征在于，所述第三時鐘信號的占空比關聯于所述第一電流源的電流值與所述第二電流源的電流值之比。

9.如權利要求8所述的占空比調整電路，其特征在于，所述第一電流源的電流值與所述第二電流源的電流值相等時，所述第三時鐘信號的占空比為50％。

10.如權利要求7所述的占空比調整電路，其特征在于，所述第三晶體管為PMOS管，所述第四晶體管為NMOS管。

11.如權利要求4所述的占空比調整電路，其特征在于，所述第二電荷泵包括：第三電流源、第四電流源、第五晶體管和第六晶體管；

所述第三電流源的第一端連接電源電壓源，第二端與所述第五晶體管的源極相連接；

所述第四電流源的第一端與所述第六晶體管的源極相連接，第二端連接接地電壓源；

所述第五晶體管的柵極與所述第六晶體管的柵極相連接輸入所述第四時鐘信號，所述第五晶體管的漏極、第六晶體管的漏極與所述第二電容的第一端相連接。

12.如權利要求11所述的占空比調整電路，其特征在于，所述第三電流源的電流值與所述第四電流源的電流值相等。

13.如權利要求11所述的占空比調整電路，其特征在于，所述第五晶體管為PMOS管，所述第六晶體管為NMOS管。

14.如權利要求2所述的占空比調整電路，其特征在于，所述第一晶體管為PMOS管，所述第一電壓源為電源電壓源，所述第二晶體管為NMOS管，所述第二電壓源為接地電壓源。