[發明專利]正極及蓄電裝置的制造方法有效
| 申請號: | 201210124226.3 | 申請日: | 2012-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN102738516A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發明(設計)人: | 栗城和貴 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | H01M10/058 | 分類號: | H01M10/058;H01M4/1391;H01M4/525 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 林毅斌;李進 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 正極 裝置 制造 方法 | ||
1.一種蓄電裝置的制造方法,包括如下步驟:
邊在400℃以上且低于600℃的溫度下加熱正極集電體,邊通過使用包含鈷酸鋰的靶材和包含Ar的濺射氣體的濺射法在所述正極集電體上形成鈷酸鋰層。
2.根據權利要求1所述的蓄電裝置的制造方法,
其中,在所述鈷酸鋰層中,鈷酸鋰的結晶呈c軸取向,
并且,即使加熱所述正極集電體,也不產生氧化鈷。
3.根據權利要求1所述的蓄電裝置的制造方法,
其中,所述正極集電體的材料為選自鈦、不銹鋼、鉑以及鋁中的一種。
4.根據權利要求1所述的蓄電裝置的制造方法,
其中,所述正極集電體的材料為鈦。
5.根據權利要求1所述的蓄電裝置的制造方法,
其中,所述正極集電體的材料為不銹鋼。
6.根據權利要求1所述的蓄電裝置的制造方法,還包括如下步驟:
在形成所述鈷酸鋰層之前,在襯底上形成所述正極集電體和負極集電體;
形成與所述正極集電體接觸且覆蓋所述鈷酸鋰層的固體電解質層;
形成與所述固體電解質層及所述負極集電體接觸的負極活性物質層;以及
形成與所述正極集電體及所述負極集電體接觸且覆蓋所述固體電解質層及所述負極活性物質層的保護膜。
7.根據權利要求6所述的蓄電裝置的制造方法,
其中,所述負極集電體的材料為選自銅、不銹鋼、鐵、鎳中的一種。
8.根據權利要求6所述的蓄電裝置的制造方法,
其中,所述固體電解質層的材料為Li3PO4、Li3PO4-xNx、Li1.3Al0.3Ti1.7P3O12、Li0.35La0.55TiO3、Li14ZnGe4O16、Li6BaLa2Ta2O12、Li7La3Zr2O12、LixPSy、Li2S-SiS2-Li3PO4、Li2S-SiS2-Li4SiO4以及Li3.25Ge0.25P0.75S4中的一種,
并且,x和y是正的實數。
9.根據權利要求6所述的蓄電裝置的制造方法,
其中,所述負極活性物質層的材料為TiO2、Li4Ti5O12、Nb2O5、NbTiOx、WO2、MoO2、硅、硅合金、鍺、鍺合金、錫、錫合金以及金屬鋰中的一種。
10.根據權利要求6所述的蓄電裝置的制造方法,
其中,所述保護膜是氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜、氟類樹脂以及類金剛石碳中的一種。
11.根據權利要求1所述的蓄電裝置的制造方法,還包括如下步驟:
形成覆蓋所述鈷酸鋰層的固體電解質層;
形成與所述固體電解質層接觸的負極活性物質層;
在所述負極活性物質層上形成負極集電體;以及
形成與所述正極集電體、所述固體電解質層、負極活性物質層以及所述負極集電體接觸的保護膜。
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