[發明專利]溝槽式功率半導體結構的制造方法

有效

• 申請號: 201210124175.4
• 申請日: 2012-04-25
• 公開（公告）號: CN103377939A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 許修文
• 申請（專利權）人: 帥群微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 項榮;姚垚

1.一種溝槽式功率半導體結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一基板；

形成一第一磊晶層在該基板上；

形成一介電層在該第一磊晶層上；

形成一遮蔽層在該介電層上；

移除部分該遮蔽層與該介電層，以形成一遮蔽結構與一介電結構在該第一磊晶層上，且該遮蔽結構堆棧在該介電結構上；

以選擇性磊晶成長技術，形成一第二磊晶層覆蓋在裸露的該第一磊晶層，并環繞該介電結構與該遮蔽結構；

移除該遮蔽結構，以形成一溝槽在該介電結構上方；

形成一柵極氧化層在該溝槽的內側表面；以及

形成一導電結構在該溝槽內；

其中，該第二磊晶層內具有一本體區與一源極區。

2.如權利要求1所述的溝槽式功率半導體結構的制造方法，其特征在于，該遮蔽層與該介電層為不同的材料。

3.如權利要求1所述的溝槽式功率半導體結構的制造方法，其特征在于，所述移除部分該遮蔽層與該介電層的步驟是以同一道光罩完成，且該遮蔽結構與該介電結構的寬度相同。

4.如權利要求3所述的溝槽式功率半導體結構的制造方法，其特征在于，所述移除部分該遮蔽層與該介電層的步驟是以蝕刻方式先移除部分該遮蔽層，以形成該遮蔽結構，再以該遮蔽結構為蝕刻屏蔽，蝕刻部分該介電層，以形成該介電結構。

5.如權利要求4所述的溝槽式功率半導體結構的制造方法，其特征在于，所述移除該遮蔽結構的步驟，是以選擇性蝕刻方式移除該遮蔽結構。

6.如權利要求1所述的溝槽式功率半導體結構的制造方法，其特征在于，該遮蔽層包括一蝕刻終止層與一覆蓋層。

7.如權利要求6所述的溝槽式功率半導體結構的制造方法，其特征在于，該覆蓋層與該介電層為氧化物，該蝕刻終止層為氮化硅。

8.如權利要求1所述的溝槽式功率半導體結構的制造方法，其特征在于，所述該本體區與該源極區的形成步驟，是完成于該柵極氧化層的形成步驟之后。

9.如權利要求1所述的溝槽式功率半導體結構的制造方法，其特征在于，該本體區或該源極區是以離子植入的方式形成在該第二磊晶層內。

10.如權利要求1所述的溝槽式功率半導體結構的制造方法，其特征在于，該本體區或該源極區是以磊晶成長的方式形成在該第二磊晶層內。