[發(fā)明專利]一種移位寄存器和顯示器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210123468.0
• 申請(qǐng)日: 2012-04-24
• 公開（公告）號(hào): CN102708818A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 商廣良;韓承佑;趙家陽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/36
• 分類號(hào): G09G3/36
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種移位寄存器，包括多級(jí)移位寄存器單元，其特征在于，所述多級(jí)移位寄存器單元中的每級(jí)移位寄存器單元包括：

第一薄膜晶體管，用于在驅(qū)動(dòng)輸入信號(hào)和掃描方向選擇信號(hào)的控制下對(duì)所述上拉結(jié)點(diǎn)進(jìn)行充電或放電，其中，在正向掃描驅(qū)動(dòng)時(shí)，所述第一薄膜晶體管作為該級(jí)移位寄存器單元的啟動(dòng)開關(guān)，對(duì)所述上拉結(jié)點(diǎn)進(jìn)行充電，在反向掃描驅(qū)動(dòng)時(shí)，所述第一薄膜晶體管作為該級(jí)移位寄存器單元的復(fù)位開關(guān)，對(duì)所述上拉結(jié)點(diǎn)進(jìn)行放電；

第二薄膜晶體管，用于在第一復(fù)位信號(hào)和所述掃描方向選擇信號(hào)的控制下對(duì)所述上拉結(jié)點(diǎn)進(jìn)行放電或充電，其中，在正向掃描驅(qū)動(dòng)時(shí)，所述第二薄膜晶體管作為該級(jí)移位寄存器單元的復(fù)位開關(guān)，對(duì)所述上拉結(jié)點(diǎn)進(jìn)行放電，在反向掃描驅(qū)動(dòng)時(shí)，所述第二薄膜晶體管作為該級(jí)移位寄存器單元的啟動(dòng)開關(guān)，對(duì)所述上拉結(jié)點(diǎn)進(jìn)行充電；

復(fù)位單元，用于對(duì)所述上拉結(jié)點(diǎn)和輸出端進(jìn)行復(fù)位；

上拉單元，用于在輸出階段將所述輸出端的電位拉高。

2.如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，

所述第一薄膜晶體管的柵極連接輸入端、源極連接上拉結(jié)點(diǎn)、漏極連接第一掃描方向選擇信號(hào)輸入端；

所述第二薄膜晶體管的柵極連接第一復(fù)位信號(hào)輸入端、源極連接所述上拉結(jié)點(diǎn)、漏極連接所述第一掃描方向選擇信號(hào)輸入端。

3.如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述上拉單元包括：

第三薄膜晶體管，其柵極連接存儲(chǔ)電容的第一端、源極輸出端、漏極連接第一時(shí)鐘信號(hào)輸入端；

存儲(chǔ)電容，其第一端連接所述上拉結(jié)點(diǎn)、第二端連接所述輸出端。

4.如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述復(fù)位單元包括：

第四薄膜晶體管，其柵極連接第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端、源極連接低電平、漏極連接所述輸出端；

第五薄膜晶體管，其柵極連接下拉控制結(jié)點(diǎn)、源極連接下拉結(jié)點(diǎn)、漏極連接所述第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端；

第六薄膜晶體管，其柵極連接所述上拉結(jié)點(diǎn)、源極連接所述低電平、漏極連接所述下拉結(jié)點(diǎn)；

第七薄膜晶體管，其柵極和漏極連接所述第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端、源極連接所述下拉控制結(jié)點(diǎn)；

第八薄膜晶體管，其柵極連接所述上拉結(jié)點(diǎn)、源極連接所述低電平、漏極連接所述下拉控制結(jié)點(diǎn)；

第九薄膜晶體管，其柵極連接所述下拉結(jié)點(diǎn)、源極連接所述低電平、漏極連接所述上拉結(jié)點(diǎn)；

第十薄膜晶體管，其柵極連接所述下拉結(jié)點(diǎn)、源極連接所述低電平、漏極連接所述輸出端。

5.如權(quán)利要求4所述的移位寄存器，其特征在于，所述每級(jí)移位寄存器單元還包括：

第一復(fù)位控制單元，用于保證所述復(fù)位單元對(duì)輸出端的復(fù)位。

6.如權(quán)利要求5所述的移位寄存器，其特征在于，所述第一復(fù)位控制單元包括：

第十一薄膜晶體管，其柵極連接第一復(fù)位信號(hào)輸入端、源極連接低電平、漏極連接輸出端；

第十二薄膜晶體管，其柵極連接輸入端、源極連接低電平、漏極連接輸出端。

7.如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述復(fù)位單元包括：

第五薄膜晶體管，其柵極連接下拉控制結(jié)點(diǎn)、源極連接下拉結(jié)點(diǎn)、漏極連接所述第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端；

第六薄膜晶體管，其柵極連接所述上拉結(jié)點(diǎn)、源極連接所述低電平、漏極連接所述下拉結(jié)點(diǎn)；

第七薄膜晶體管，其柵極和漏極連接所述第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端、源極連接所述下拉控制結(jié)點(diǎn)；

第八薄膜晶體管，其柵極連接所述上拉結(jié)點(diǎn)、源極連接所述低電平、漏極連接所述下拉控制結(jié)點(diǎn)；

第九薄膜晶體管，其柵極連接所述下拉結(jié)點(diǎn)、源極連接所述低電平、漏極連接所述上拉結(jié)點(diǎn)；

第十薄膜晶體管，其柵極連接所述下拉結(jié)點(diǎn)、源極連接所述低電平、漏極連接所述輸出端；

第十三薄膜晶體管，其柵極連接第二復(fù)位控制單元、源極連接低電平、漏極連接所述輸出端；

其中，所述第二復(fù)位控制單元，用于保證所述復(fù)位單元對(duì)輸出端的復(fù)位。