[發明專利]一種平面柵電荷存儲型IGBT

無效

• 申請號: 201210123005.4
• 申請日: 2012-04-24
• 公開（公告）號: CN102683402A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 張金平;夏小軍;王娜;李長安;張蒙;李澤宏;任敏;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 葛啟函

1.一種平面柵電荷存儲型IGBT，包括P⁺集電極(12)，位于P⁺集電極(12)背面的金屬集電極(11)，位于P⁺集電極(12)正面的N⁺電場阻止層(13)，位于N⁺電場阻止層(13)表面的N^-漂移區(14)，位于N^-漂移區(14)頂部中間的P型基區(20)，位于P型基區(20)內部的兩個N⁺接觸區(19)，位于P型基區(20)內部且位于兩個N⁺接觸區(19)之間的P⁺接觸區(18)，位于器件表面且與兩個N⁺接觸區(19)和P⁺接觸區(18)接觸的金屬發射極(17)，位于器件表面且與兩個N⁺接觸區(19)、P型基區(20)和N^-漂移區(14)均接觸的柵極氧化層(15)，位于柵極氧化層(15)表面的柵電極(16)；金屬發射極(17)與柵電極(16)之間相互絕緣；P型基區(20)與N^-漂移區(14)之間具有N型電荷存儲層(21)；

其特征在于，所述平面柵電荷存儲型IGBT還具有一層P型埋層(22)，所述P型埋層(22)位于N型電荷存儲層(21)與N^-漂移區(14)之間。

2.根據權利要求1所述的平面柵電荷存儲型IGBT，其特征在于，所述P型埋層(22)將N型電荷存儲層(21)全部包圍或部分包圍。

3.根據權利要求1所述的平面柵電荷存儲型IGBT，其特征在于，所述P型埋層(22)在傳統平面柵電荷存儲型IGBT的N型電荷存儲層(21)形成之前通過高能離子注入或擴散工藝形成。

4.根據權利要求1所述的平面柵電荷存儲型IGBT，其特征在于，所述P型埋層(22)的濃度、厚度、形狀根據設計要求相應變化。

5.根據權利要求1所述的平面柵電荷存儲型IGBT，其特征在于，所述平面柵電荷存儲型IGBT的P⁺集電極(12)為電場終止結構、透明陽極結構或陽極短路結構。

6.根據權利要求1所述的平面柵電荷存儲型IGBT，其特征在于，所述平面柵電荷存儲型IGBT的半導體材料為硅、碳化硅、砷化鎵或氮化鎵。