[發明專利]一種自清潔反光鏡及其制備方法和應用

無效

• 申請號: 201210122666.5
• 申請日: 2012-04-23
• 公開（公告）號: CN102643035A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 周改改;王振聲
• 申請（專利權）人: 大連宏海新能源發展有限公司
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36;C23C14/35;C23C14/14;C23C14/08;B32B17/06;B32B15/04
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;李巖

1.一種自清潔反光鏡，其特征在于，包括：

一基板；

一具有自清潔功能的復合膜層，該復合膜層鍍制于該基板上。

2.根據權利要求1所述的自清潔反光鏡，其特征在于，所述復合膜層包括：

一Ag膜層；

一覆蓋于所述Ag膜層上的SiO₂膜層；

一覆蓋于所述SiO₂膜層上的TiO₂膜層。

3.根據權利要求1所述的自清潔反光鏡，其特征在于，所述復合膜層包括：

一Ag膜層；

一覆蓋于所述Ag膜層上的TiO₂膜層。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的自清潔反光鏡，其特征在于，所述復合膜層的厚度為300-700nm。

5.根據權利要求2所述的自清潔反光鏡，其特征在于，所述復合膜層中，所述Ag膜層的厚度為100-300nm，所述SiO₂膜層厚度為100-200nm；所述TiO₂膜層厚度為100-200nm。

6.根據權利要求2所述的自清潔反光鏡，其特征在于，所述復合膜層中，所述Ag膜層為反射膜層，所述SiO₂膜層為保護膜層，所述TiO₂膜層為自清潔膜層。

7.根據權利要求1所述的自清潔反光鏡，其特征在于，所述基板為玻璃或者金屬材質。

8.一種自清潔反光鏡的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一基板，

在所述基板上采用磁控濺射法鍍制一具有自清潔功能的復合膜層。

9.根據權利要求8所述的自清潔反光鏡的制備方法，其特征在于，鍍制復合膜層的步驟進一步包括：

鍍制一Ag膜層在所述基板上；

鍍制一SiO₂膜層在所述銀膜層上；

鍍制一TiO₂膜層在所述SiO₂膜層上。

10.根據權利要求8所述的自清潔反光鏡的制備方法，其特征在于，鍍制復合膜層的步驟進一步包括：

鍍制一Ag膜層在所述基板上；

鍍制一TiO₂膜層在所述銀膜層上。

11.根據權利要求8所述的自清潔反光鏡的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射法采用的磁控濺射靶與所述基板的距離為200-300mm，Ag靶高為1-1.5m寬為110-150mm厚為10-20mm；SiO2靶高為1-1.5m寬為110-150mm厚為10-20mm；TiO₂靶高為1-1.5m寬為110-150mm厚為10-20mm。

12.根據權利要求8所述的自清潔反光鏡的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射法采用的真空室的真空度達到10-3數量級帕斯卡以下，并使該真空室內保持10-2帕斯卡數量級的動態平衡壓強。

13.根據權利要求9所述的自清潔反光鏡的制備方法，其特征在于，在鍍制所述Ag膜層時，銀靶表面的磁場強度為80-90高斯；調節濺射電壓為-370V--380V，濺射電流為4-5A，基板溫度為80攝氏度左右，Ag膜沉積速率控制在20-25nm/min。

14.根據權利要求9所述的自清潔反光鏡的制備方法，其特征在于，在鍍制所述SiO₂膜層時，SiO2靶表面磁場強度為110高斯左右；射頻電源功率控制在5-7千瓦范圍；SiO2膜沉積速率控制在3nm/min-5nm/min范圍。

15.根據權利要求9所述的自清潔反光鏡的制備方法，其特征在于，在鍍制所述TiO₂膜層時，關閉擴散泵，開啟分子泵，真空度10-3帕斯卡數量級以下，TiO₂靶表面磁場強度為80-90高斯；濺射電壓-420V左右；濺射電流4-5A；充入氬氣和氧氣，控制氬、氧的流量比為1∶4，TiO2膜成膜速率控制在10nm/min-14nm/min。