[發(fā)明專利]電子元件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210122623.7 | 申請(qǐng)日: | 2012-04-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103377749A | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馮辰;潛力;王昱權(quán) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京富納特創(chuàng)新科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01B1/04 | 分類號(hào): | H01B1/04;H01B5/14 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 100084 北京市海*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子元件 | ||
1.一種電子元件,其包括:
一碳納米管膜,該碳納米管膜包括多個(gè)碳納米管線以及多個(gè)碳納米管團(tuán)簇,該多個(gè)碳納米管線間隔設(shè)置,該多個(gè)碳納米管團(tuán)簇通過(guò)該多個(gè)碳納米管線隔開,且位于相鄰的碳納米管線之間的多個(gè)碳納米管團(tuán)簇間隔設(shè)置,所述多個(gè)碳納米管線沿一第一方向延伸設(shè)置形成多個(gè)第一導(dǎo)電通路,所述多個(gè)碳納米管團(tuán)簇沿一第二方向設(shè)置成形成多個(gè)第二導(dǎo)電通路,且該第二方向與所述第一方向交叉設(shè)置;
至少一第一電極及至少一第二電極,該至少一第一電極與該至少一第二電極相對(duì)且間隔設(shè)置,且通過(guò)所述多個(gè)第一導(dǎo)電通路或多個(gè)第二導(dǎo)電通路中的至少一個(gè)導(dǎo)電通路電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的電子元件,其特征在于,所述碳納米管膜中的多個(gè)碳納米管線平行設(shè)置。
3.如權(quán)利要求2所述的電子元件,其特征在于,所述多個(gè)碳納米管團(tuán)簇在所述第二方向上成行排列,形成多個(gè)直線形第二導(dǎo)電通路。
4.如權(quán)利要求2所述的電子元件,其特征在于,所述多個(gè)碳納米管團(tuán)簇在所述第二方向上交錯(cuò)設(shè)置,形成多個(gè)曲線形第二導(dǎo)電通路。
5.如權(quán)利要求1所述的電子元件,其特征在于,每個(gè)碳納米管線由多個(gè)碳納米管構(gòu)成,該多個(gè)碳納米管沿同一方向延伸且通過(guò)范德華力首尾相連。
6.如權(quán)利要求1所述的電子元件,其特征在于,每個(gè)碳納米管團(tuán)簇包括多個(gè)碳納米管,該多個(gè)碳納米管的軸向平行于所述多個(gè)碳納米管線的軸向。
7.如權(quán)利要求1所述的電子元件,其特征在于,每個(gè)碳納米管團(tuán)簇包括多個(gè)碳納米管,該多個(gè)碳納米管的軸向與所述多個(gè)碳納米管線的軸向相交設(shè)置。
8.如權(quán)利要求1所述的電子元件,其特征在于,相鄰的碳納米管線之間的間距大于0.1毫米。
9.如權(quán)利要求1所述的電子元件,其特征在于,相鄰的碳納米管團(tuán)簇之間的間距大于1毫米。
10.如權(quán)利要求1所述的電子元件,其特征在于,所述碳納米管膜包括多個(gè)碳納米管,該多個(gè)碳納米管分別組成所述多個(gè)碳納米管線及所述多個(gè)碳納米管團(tuán)簇,該多個(gè)碳納米管線及該多個(gè)碳納米管團(tuán)簇分別間隔設(shè)置形成多個(gè)孔隙。
11.如權(quán)利要求10所述的電子元件,其特征在于,所述碳納米管膜中的多個(gè)碳納米管與所述多個(gè)孔隙的面積比大于0,且小于等于1?:?19。
12.如權(quán)利要求1所述的電子元件,其特征在于,所述至少一第一電極與所述至少一第二電極通過(guò)所述多個(gè)第一導(dǎo)電通路電連接。
13.如權(quán)利要求12所述的電子元件,其特征在于,所述至少一第一電極為多個(gè)第一電極,該多個(gè)第一電極在所述碳納米管膜的一側(cè)且間隔設(shè)置。
14.如權(quán)利要求13所述的電子元件,其特征在于,所述至少一第二電極為多個(gè)第二電極,該多個(gè)第二電極在所述碳納米管膜的另一側(cè)間隔設(shè)置,并與所述多個(gè)第一電極一一對(duì)應(yīng)設(shè)置。
15.如權(quán)利要求12所述的電子元件,其特征在于,進(jìn)一步包括至少一第三電極以及至少一第四電極,該至少一第三電極及該至少一個(gè)第四電極相對(duì)且間隔設(shè)置,并通過(guò)所述多個(gè)第二導(dǎo)電通路電連接。
16.如權(quán)利要求15所述的電子元件,其特征在于,所述至少一第三電極為多個(gè)第三電極,所述至少一第四電極為多個(gè)第四電極,該多個(gè)第三電極及該多個(gè)第四電極均與所述多個(gè)第二導(dǎo)電通路一一對(duì)應(yīng)設(shè)置。
17.如權(quán)利要求1所述的電子元件,其特征在于,所述至少一第一電極與所述至少一第二電極通過(guò)所述多個(gè)第二導(dǎo)電通路電連接。
18.如權(quán)利要求17所述的電子元件,其特征在于,進(jìn)一步包括至少一第三電極以及至少一第四電極,該至少一第三電極及該至少一個(gè)第四電極相對(duì)且間隔設(shè)置,并通過(guò)所述多個(gè)第二導(dǎo)電通路電連接。
19.如權(quán)利要求1所述的電子元件,其特征在于,進(jìn)一步包括一基底,所述碳納米管膜設(shè)置于該基底。
20.如權(quán)利要求18所述的電子元件,其特征在于,進(jìn)一步包括一粘膠層,該粘膠層設(shè)置于所述碳納米管膜與所述基底之間。
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