[發明專利]形成孔的方法

有效

• 申請號: 201210122591.0
• 申請日: 2012-04-24
• 公開（公告）號: CN103377993A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 王新鵬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/311
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種形成孔的方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成有介質層；

在所述介質層上形成第一圖形化的掩膜層和第二圖形化的掩膜層，所述第一圖形化的掩膜層和第二圖形化的掩膜層共同形成的圖形定義出孔的位置，其中，所述第一圖形化的掩膜層沿列方向定義孔的位置，所述第二圖形化的掩膜層沿行方向定義孔的位置；

以所述第一圖形化的掩膜層和第二圖形化的掩膜層為掩膜，干法刻蝕所述介質層形成孔。

2.如權利要求1所述的形成孔的方法，其特征在于，在所述介質層上形成第一圖形化的掩膜層的方法包括：

在所述介質層上形成高級圖形膜層；

在所述高級圖形膜層上形成第一圖形化的光刻膠層；

以所述第一圖形化的光刻膠層為掩膜干法刻蝕部分厚度的所述高級圖形膜層。

3.如權利要求2所述的形成孔的方法，其特征在于，形成第一圖形化的光刻膠層之前，還包括：在所述高級圖形膜層上形成硬掩膜層，以所述第一圖形化的光刻膠層為掩膜干法刻蝕部分厚度的所述高級圖形膜層之前，干法刻蝕所述硬掩膜層。

4.如權利要求3所述的形成孔的方法，其特征在于，所述硬掩膜層為無機材料的抗反射層。

5.如權利要求3所述的形成孔的方法，其特征在于，所述硬掩膜層為金屬硬掩膜層。

6.如權利要求5所述的形成孔的方法，其特征在于，所述金屬硬掩膜層的材料為TiN或TaN。

7.如權利要求2所述的形成孔的方法，其特征在于，形成第一圖形化的光刻膠層的方法包括：形成第一光刻膠層，對所述第一光刻膠層進行曝光、顯影形成第一圖形化的光刻膠層。

8.如權利要求2所述的形成孔的方法，其特征在于，形成第二圖形化的掩膜層的方法包括：

形成第二圖形化的光刻膠層，覆蓋所述第一圖形化的掩膜層。

9.如權利要求8所述的形成孔的方法，其特征在于，形成第二圖形化的光刻膠層之前，還包括：

形成底部抗反射層，覆蓋所述第一圖形化的掩膜層；

所述第二圖形化的光刻膠層形成在所述底部抗反射層上。

10.如權利要求9所述的形成孔的方法，其特征在于，所述底部抗反射層的材料為有機材料。

11.如權利要求10所述的形成孔的方法，其特征在于，形成底部抗反射層的方法包括：

在所述第一圖形化的掩膜層上涂覆有機材料層；

對所述有機材料層進行軟烘，形成底部抗反射層。

12.如權利要求8所述的形成孔的方法，其特征在于，形成第二圖形化的光刻膠層的方法包括：形成第二光刻膠層，對所述第二光刻膠層進行曝光、顯影形成第二圖形化的光刻膠層。

13.如權利要求1所述的形成孔的方法，其特征在于，所述孔為通孔或接觸孔。

14.如權利要求1所述的形成孔的方法，其特征在于，所述介質層為單層結構或疊層結構。

15.如權利要求14所述的形成孔的方法，其特征在于，單層結構的介質層的材料為氧化硅、低k介質材料或超低k介質材料。

16.如權利要求14所述的形成孔的方法，其特征在于，疊層結構的介質層中每一層的材料可以為氧化硅、低k介質材料或超低k介質材料。