[發明專利]外延結構體

有效

• 申請號: 201210122568.1
• 申請日: 2012-04-25
• 公開（公告）號: CN103378247A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 魏洋;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種外延結構體，其特征在于，所述外延結構體包括依次層疊設置的一基底，一石墨烯層及一外延層，所述基底與所述外延層接觸的表面具有多個微米級凹陷，相鄰的凹陷之間形成凸起，形成一圖案化的表面，所述石墨烯層設置于所述圖案化的表面，所述外延層與所述基底接觸的表面與所述圖案化的表面耦合，對應凸起位置處的石墨烯層夾持于基底與外延層之間，對應凹陷位置處的石墨烯層嵌入所述外延層中。

2.如權利要求1所述的外延結構體，其特征在于，所述石墨烯層由一單層石墨烯或多層石墨烯組成的連續的整體結構。

3.如權利要求2所述的外延結構體，其特征在于，所述石墨烯層包括至少一石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜為一連續的單層單原子層。

4.如權利要求2所述的外延結構體，其特征在于，所述石墨烯層中具有多個空隙，所述空隙從所述石墨烯層的厚度方向貫穿所述石墨烯層。

5.如權利要求4所述的外延結構體，其特征在于，所述空隙的形狀為圓形、方形、三角形、菱形或矩形。

6.如權利要求4所述的外延結構體，其特征在于，所述空隙的尺寸為10納米至10微米，所述石墨烯的占空比為1：4至4：1。

7.如權利要求4所述的外延結構體，其特征在于，所述外延層貫穿所述石墨烯層中的空隙與所述基底相接觸。

8.如權利要求4所述的外延結構體，其特征在于，所述空隙為多個沿同一方向延伸的條形的間隙。

9.如權利要求8所述的外延結構體，其特征在于，所述凹陷為多個沿同一方向延伸的凹槽，所述凹槽的延伸方向與所述空隙的延伸方向平行或交叉。

10.如權利要求9所述的外延結構體，其特征在于，所述凹槽的延伸方向垂直于所述空隙的延伸方向。

11.如權利要求9所述的外延結構體，其特征在于，所述凹槽的寬度為1微米～50微米，深度為0.1微米～1微米，相鄰凹槽之間的間距為1微米～20微米。

12.如權利要求1所述的外延結構體，其特征在于，所述石墨烯層為多個間隔設置的圖形，且相鄰兩個圖形之間形成多個空隙。

13.如權利要求12所述的外延結構體，其特征在于，所述石墨烯層為多個間隔設置的條形石墨烯。

14.如權利要求1所述的外延結構體，其特征在于，在所述外延層中具有多個孔洞，將所述石墨烯層包覆于該孔洞中。

15.如權利要求1所述的外延結構體，其特征在于，所述外延層的材料與所述基底的材料相同。

16.如權利要求1所述的外延結構體，其特征在于，所述對應凹槽位置處的石墨烯層懸空設置。

17.一種外延結構體，所述外延結構體包括：

一基底，所述基底一表面具有多個微米級的凹陷，形成一圖案化的表面；

一石墨烯層，所述石墨烯層設置于所述圖案化的表面，所述石墨烯層具有多個空隙，所述石墨烯層的起伏趨勢與圖案化的表面的起伏趨勢相同；以及

一外延層，所述外延層形成于所述基底圖案化的表面，所述石墨烯層位于所述外延層與所述基底之間。

18.如權利要求17所述的外延結構體，其特征在于，所述外延層靠近基底的表面與所述圖案化的表面耦合。

19.如權利要求17所述的外延結構體，其特征在于，所述石墨烯層為分散的石墨烯粉末。

20.一種外延結構體，其包括：一基底，該基底具有一圖案化的外延生長面，以及一外延層形成于所述圖案化的外延生長面，其特征在于，進一步包括一圖案化的單層石墨烯薄膜設置于所述外延層與基底之間，且該圖案化的單層石墨烯薄膜具有多個空隙，所述外延層貫穿石墨烯層的多個空隙與所述基底的外延生長面接觸。