[發明專利]發光二極管

有效

• 申請號: 201210122505.6
• 申請日: 2012-04-25
• 公開（公告）號: CN103378234A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 魏洋;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管，其包括：

一基底具有一表面；

一有源層，該有源層包括依次層疊設置于該基底表面的一第一半導體層、一活性層以及一第二半導體層，且所述活性層設置于所述第一半導體層與所述第二半導體層之間；

一第一電極，該第一電極與所述第二半導體層電連接；

一第二電極，該第二電極與所述第一半導體層電連接；

其特征在于，進一步包括一圖案化的石墨烯層設置于所述第一半導體層或所述第二半導體層的表面或中間。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述圖案化的石墨烯層設置于所述第一半導體層遠離所述活性層的表面。

3.如權利要求2所述的發光二極管，其特征在于，所述第一半導體層遠離所述活性層的表面為一圖案化的表面，所述圖案化的表面具有多個凹槽，且所述圖案化的石墨烯層設置于所述凹槽內。

4.如權利要求3所述的發光二極管，其特征在于，所述石墨烯層為連續的整體結構，且所述石墨烯層用作第二電極。

5.如權利要求3所述的發光二極管，其特征在于，所述有源層的面積小于所述石墨烯層的面積，使得所述石墨烯層部分暴露，所述第二電極設置于所述所述石墨烯層暴露的表面。

6.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述石墨烯層設置于所述第二半導體層遠離所述活性層的表面。

7.如權利要求6所述的發光二極管，其特征在于，所述第二半導體層遠離所述活性層的表面為一圖案化的表面，所述圖案化的表面具有多個凹槽，且所述石墨烯層設置于所述凹槽內。

8.如權利要求7所述的發光二極管，其特征在于，所述石墨烯層為連續的整體結構，且所述石墨烯層用作第一電極。

9.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述石墨烯層設置于所述第一半導體層或第二半導體層靠近所述活性層的表面。

10.如權利要求9所述的發光二極管，其特征在于，所述第一半導體層或第二半導體層靠近所述活性層的表面為一圖案化的表面，所述圖案化的表面具有多個凹槽，且所述石墨烯層設置于所述凹槽內。

11.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述石墨烯層包覆于所述第一半導體層或第二半導體層中間。

12.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述活性層和第二半導體層的面積小于第一半導體層的面積，使得第一半導體層部分暴露，所述第一電極設置于所述第二半導體層表面，所述第二電極設置于所述第一半導體層暴露的表面。

13.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述石墨烯層具有多個開口，所述開口的尺寸為10納米~120微米，所述石墨烯層的占空比為1:4~4:1。

14.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述石墨烯層僅包括石墨烯材料。

15.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述石墨烯層為一由石墨烯粉末或石墨烯薄膜構成的連續的整體結構。

16.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述石墨烯層的厚度為1納米~100微米。

17.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述石墨烯層為一個碳原子厚度。

18.如權利要求1所述的發光二極管的制備方法，其特征在于，所述石墨烯層為分散的石墨烯粉末。

19.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述圖案化的石墨烯層為一具有多個開口的連續整體結構。

20.如權利要求19所述的發光二極管，其特征在于，所述多個開口的形狀為圓形、方形、三角形、菱形或矩形。

21.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述圖案化的石墨烯層為多個間隔設置的圖形，且相鄰兩個圖形之間形成多個開口。

22.如權利要求21所述的發光二極管，其特征在于，所述圖案化的石墨烯層為多個間隔設置的條形石墨烯。

23.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述圖案化的石墨烯層設置于所述第一半導體層或所述第二半導體層的表面，所述圖案化的石墨烯層具有多個開口，所述第一半導體層或所述第二半導體層具有多個凸起延伸至該多個開口中。