[發明專利]一種具有傾斜量子阱結構的氮化鎵半導體發光二極管無效
| 申請號： | 201210122375.6 | 申請日： | 2012-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN102623596A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發明（設計）人： | 李文兵;王江波;董彬忠;楊春艷 | 申請（專利權）人： | 華燦光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/30 |
| 代理公司： | 江西省專利事務所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 傾斜 量子 結構 氮化 半導體 發光二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有傾斜量子阱結構的氮化鎵半導體發光二極管，該發光二極管外延結構從下向上依次為：一層低溫氮化鎵層、一層N型氮化鎵層、數對銦鎵氮和氮化鎵的量子阱結構、一層鋁鎵氮電子阻擋層、一層P型氮化鎵層、一層P型氮化鎵蓋層；其特征在于：所述銦鎵氮量子阱內銦組分從靠近N型的壘層往靠近P型的壘層之方向，銦的組分是逐漸遞減的。
2.根據權利要求1所述一種具有傾斜量子阱結構的氮化鎵半導體發光二極管，其特征在于：所述銦的組分遞減具有多種不同的方式，包括線性的遞減、拋物線型的遞減、臺階式的遞減，及其它形式的遞減。
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