[發明專利]N型太陽能電池片及其制造方法有效
| 申請號： | 201210122354.4 | 申請日： | 2012-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN102637776A | 公開（公告）日： | 2012-08-15 |
| 發明（設計）人： | 徐卓;熊景峰;胡志言;安海嬌;王紅芳 | 申請（專利權）人： | 英利能源（中國）有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0248 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 071051 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
1.一種N型太陽能電池片制造方法，包括電池片表面的制絨過程、擴散制結過程、周邊等離子刻蝕過程、沉積減反射膜過程和印刷電極過程，其特征在于，
在擴散制結過程中，采用擴散工藝形成N型重摻雜背場，所述背場的表面摻雜濃度大于常規N型太陽能電池片的背場表面摻雜濃度；
在印刷電極過程中，采用銀鋁漿制作所述電池片正面和背面的柵線。
2.根據權利要求1所述的N型太陽能電池片制造方法，其特征在于，所述背場的表面摻雜濃度在5E20cm-31.3E21cm-3以內。
3.根據權利要求2所述的N型太陽能電池片制造方法，其特征在于，所述背場的表面摻雜濃度在9.5E20cm-3～1.3E21cm-3以內。
4.根據權利要求2所述的N型太陽能電池片制造方法，其特征在于，所述背場的摻雜深度在0.3μm～2μm以內。
5.根據權利要求4所述的N型太陽能電池片制造方法，其特征在于，所述背場的摻雜深度在0.8μm～1.2μm以內。
6.根據權利要求2所述的N型太陽能電池片制造方法，其特征在于，所述銀鋁漿中鋁的濃度在0.5％～5％以內。
7.根據權利要求1所述的N型太陽能電池片制造方法，其特征在于，所述沉積減反射膜過程為，先后在電池片的正面和背面均進行減反射膜的沉積。
8.根據權利要求7所述的N型太陽能電池片制造方法，其特征在于，所述減反射膜為富氫的氮化硅薄膜、富氫的氮氧化硅薄膜和富氫的氮化鈦薄膜中的至少一種。
9.一種采用權利要求1-8任一項所述的方法制造的N型太陽能電池片，其特征在于，所述太陽能電池片N型背場的表面摻雜濃度大于常規N型太陽能電池片的背場表面摻雜濃度，所述太陽能電池片的柵線材料為銀鋁漿。
10.根據權利要求9所述的N型太陽能電池片，其特征在于，所述N型背場的表面摻雜濃度在5E20cm-3～1.3E21cm-3以內，所述銀鋁漿中鋁的濃度在0.5％～5％以內。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
