[發明專利]非揮發性存儲器及其制造方法

有效

• 申請號: 201210122112.5
• 申請日: 2012-04-24
• 公開（公告）號: CN103378103A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 曾俊元;黃駿揚;吳明锜
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李鶴松

1.一種非揮發性存儲器，其特征在于，所述非揮發性存儲器包括：

一下導電層；

一電阻轉態復合層，設置于所述下導電層上，所述電阻轉態復合層包括：

具有一第一層數的第一氧化物原子層；

具有一第二層數的第二氧化物原子層，設置于所述這些第一氧化物原子層上；以及

一上導電層，設置于所述電阻轉態復合層上。

2.如權利要求1所述的非揮發性存儲器，其特征在于，所述非揮發性存儲器更包括：

一基板，設置于所述下導電層的下方；以及

一絕緣層，設置于所述下導電層和所述基板之間。

3.如權利要求1所述的非揮發性存儲器，其特征在于，所述電阻轉態復合層為一氧化鉿與氧化鋁混合氧化物，化學式為HfxAlyO，其中x和y大于0且小于1。

4.如權利要求1所述的非揮發性存儲器，其特征在于，所述第一層數和所述第二層數皆為大于等于1的整數。

5.如權利要求1所述的非揮發性存儲器，其特征在于，所述第一氧化物原子層或第二氧化物原子層包括二氧化鉿、氧化鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、氧化錫與氧化鋅。

6.如權利要求1所述的非揮發性存儲器，其特征在于，所述第一氧化物原子層和第二氧化物原子層為不同的材料。

7.如權利要求1所述的非揮發性存儲器，其特征在于，所述電阻轉態復合層的厚度介于1納米和100納米之間。

8.一種非揮發性存儲器的制造方法，其特征在于，所述非揮發性存儲器的制造方法包括下列步驟：

提供一基板；

于所述基板上形成一下導電層；

進行具有一第一制造工藝循環次數的第一原子層沉積制造工藝，以于所述下導電層上形成具有一第一層數的第一氧化物原子層；

進行具有一第二制造工藝循環次數的一第二原子層沉積制造工藝，于所述這些第一氧化物原子層上形成具有一第二層數的第二氧化物原子層，所述這些第一氧化物原子層和所述這些第二氧化物原子層是共同制成一電阻轉態復合層；以及

于所述電阻轉態復合層上形成一上導電層。

9.如權利要求8所述的非揮發性存儲器的制造方法，其特征在于，所述電阻轉態復合層為一氧化鉿與氧化鋁混合氧化物，化學式為HfxAlyO，其中x和y大于0且小于1。

10.如權利要求8所述的非揮發性存儲器的制造方法，其特征在于，所述第一制造工藝循環次數和所述第二制造工藝循環次數皆為大于等于1的整數。

11.如權利要求8所述的非揮發性存儲器的制造方法，其特征在于，所述第一氧化物原子層或第二氧化物原子層包括二氧化鉿、氧化鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、氧化錫與氧化鋅。

12.如權利要求8所述的非揮發性存儲器的制造方法，其特征在于，所述第一氧化物原子層和第二氧化物原子層為不同的材料。