[發明專利]MOS晶體管的制造方法有效
| 申請號： | 201210121171.0 | 申請日： | 2012-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN103377935A | 公開（公告）日： | 2013-10-30 |
| 發明（設計）人： | 趙猛 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mos 晶體管 制造 方法 | ||
1.一種MOS晶體管的制造方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成柵極結構；
在所述柵極結構的兩側形成側墻；
在所述半導體襯底中進行源/漏極區摻雜離子注入；
在所述半導體襯底和柵極結構表面沉積應力蓋層并進行激光脈沖退火和/或激光閃光退火；
移除所述應力蓋層，在所述柵極結構頂部和暴露出半導體襯底的上表面形成自對準金屬硅化物。
2.如權利要求1所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述柵極結構包括柵氧化層及其上方的多晶硅層。
3.如權利要求1所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述源/漏極區摻雜離子注入包括：
輕摻雜源/漏區離子注入以形成源/漏擴展區；以及
重摻雜源/漏區離子注入以形成源/漏極。
4.如權利要求3所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述MOS晶體管為NMOS時，所述輕摻雜源/漏區離子注入的離子為碳離子；所述MOS晶體管為PMOS時，所述輕摻雜源/漏區離子注入的離子為鍺離子。
5.如權利要求3所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述源/漏極區離子注入還包括：
在所述輕摻雜源/漏區離子注入步驟之前進行源/漏區硼離子注入。
6.如權利要求3所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述源/漏極區離子注入還包括：
在所述重摻雜源/漏區離子注入步驟之后進行源/漏區硼離子注入。
7.如權利要求1所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述應力蓋層厚度為50nm～1000nm。
8.如權利要求1所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述MOS晶體管為NMOS時，所述應力蓋層為張應力蓋層；所述MOS晶體管為PMOS時，所述應力蓋層為壓應力蓋層。
9.如權利要求1所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述應力蓋層包括應力氮化硅層、應力氮氧化硅層以及金屬層中的至少一層。
10.如權利要求9所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述金屬層包括TiNAl、TaN、Al、Cu中的至少一種。
11.如權利要求1所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述激光脈沖退火和/或激光閃光退火的溫度為1000℃～1350℃，工藝時間為30ms～300ms。
12.如權利要求1所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，還包括：在形成自對準金屬硅化物的器件表面沉積接觸孔刻蝕停止層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
