[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210121114.2
• 申請日: 2012-04-23
• 公開（公告）號: CN103378150A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 鮑宇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底；

柵極結構，位于所述半導體襯底上；

第一側墻，位于所述柵極結構的側壁上，所述第一側墻的高度低于所述柵極結構的高度；

第二側墻，所述第二側墻位于柵極結構的側壁，并位于所述第一側墻上，所述第二側墻的底面寬度大于所述第一側墻的頂面寬度。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一側墻的材質為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或無定型碳中的一種或其組合，所述第二側墻的材質為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或無定型碳中的一種或其組合。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述第一側墻的材質為氧化硅，所述第二側墻的材質為氮化硅。

4.如權利要求1至3中任意一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第一側墻與所述柵極結構的高度差為5nm～200nm。

5.如權利要求1至3中任意一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第二側墻的高度為5nm～200nm。

6.如權利要求1至3中任意一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第二側墻的底面寬度為5nm～50nm，所述第一側墻的頂面寬度為4nm～40nm。

7.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成柵極結構；

在所述半導體襯底上覆蓋第一側墻薄膜，并對所述第一側墻薄膜進行化學機械研磨工藝和回刻蝕工藝，使所述第一側墻薄膜的高度低于所述柵極結構的高度；

在所述第一側墻薄膜和所述柵極結構上覆蓋第二側墻薄膜；

刻蝕所述第二側墻薄膜，以在所述柵極結構側壁上形成第二側墻；

以所述第二側墻為掩膜，刻蝕所述第一側墻薄膜，以在所述柵極結構側壁上形成第一側墻；

對所述第一側墻進行回拉工藝，使所述第二側墻的底面寬度大于所述第一側墻的頂面寬度。

8.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在對所述第一側墻進行回拉工藝的步驟之后，還包括：進行金屬硅化工藝。

9.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述金屬硅化工藝包括：

在所述半導體襯底上沉積金屬材質，所述金屬材質在所述第一側墻和所述第二側墻上形成間斷沉積；

進行高溫退火工藝。

10.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一側墻的材質為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或無定型碳中的一種或其組合，所述第二側墻的材質為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或無定型碳中的一種或其組合。

11.如權利要求10所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一側墻的材質為氧化硅，所述第二側墻的材質為氮化硅。

12.如權利要求7至11中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一側墻與所述柵極結構的高度差為5nm～200nm。

13.如權利要求7至11中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第二側墻的高度為5nm～200nm。

14.如權利要求7至11中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在對所述第一側墻進行回拉工藝的步驟之后，所述第二側墻的底面寬度為5nm～50nm，所述第一側墻的頂面寬度為4nm～40nm。