[發(fā)明專利]硫系相變化合物與半導(dǎo)體基底產(chǎn)品及其制備方法與應(yīng)用

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210121062.9
• 申請日: 2012-04-23
• 公開（公告）號: CN103373712A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 席洪柱;李建政;劉前
• 申請（專利權(quán)）人: 國家納米科學(xué)中心
• 主分類號: C01B19/00
• 分類號: C01B19/00;G03F7/00;H01L21/027
• 代理公司: 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283
• 代理人: 王浩然;周建秋

1.一種硫系相變化合物，其特征在于，該硫系相變化合物的通式為：Ge_aSb_c-xTebBi_x，其中，a、b、c、x為原子百分比，且a+b+c＝100，19≤a≤27，54≤b≤62，19≤c≤27，0≤x≤c。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫系相變化合物，其中，20≤a≤26，54≤b≤60，20≤c≤26，4≤x≤7。

3.一種半導(dǎo)體基底產(chǎn)品的制備方法，該方法包括在半導(dǎo)體基底表面沉積抗刻蝕薄膜，并通過將所述抗刻蝕薄膜的一部分去除的方式在所述基底上形成抗刻蝕圖案，然后對所述半導(dǎo)體基底進行刻蝕，其特征在于，沉積抗刻蝕薄膜的靶材為硫系相變化合物，所述硫系相變化合物的通式為：Ge_aSb_c-xTebBi_x，其中，a、b、c、x為原子百分比，且a+b+c＝100，19≤a≤27，54≤b≤62，19≤c≤27，0≤x≤c。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，20≤a≤26，54≤b≤60，20≤c≤26，4≤x≤7。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述抗刻蝕薄膜的厚度為20-1000nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，將所述抗刻蝕薄膜的一部分去除的方法包括將所述抗刻蝕薄膜進行選擇性曝光，然后將曝光后的樣品置于顯影液中進行顯影。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述顯影液為酸或堿與雙氧水的混合溶液，所述酸為硝酸，所述堿為氫氧化鉀和/或氫氧化鈉。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，對所述半導(dǎo)體基底進行刻蝕的方法為干法刻蝕。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體基底為SiO₂基底或Si基底。

10.由權(quán)利要求3-9中任意一項所述的方法制得的半導(dǎo)體基底產(chǎn)品。

11.權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體基底產(chǎn)品在微電子加工、半導(dǎo)體集成和/或微納器件制備中的應(yīng)用。