[發明專利]一種制備石墨烯的方法有效
| 申請號： | 201210120753.7 | 申請日： | 2012-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN102627274A | 公開（公告）日： | 2012-08-08 |
| 發明（設計）人： | 王庶民;龔謙;謝曉明;王海龍;狄增峰;丁古巧;柳慶博 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | C01B31/04 | 分類號： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 許亦琳;余明偉 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 石墨 方法 | ||
1.一種制備石墨烯的方法，包括如下步驟：
(1)選取適當的材料作為襯底；
(2)在襯底表面直接沉積CBr4；
(3)對步驟2所得的樣品進行退火處理。
2.如權利要求1所述的制備石墨烯的方法，其特征在于，所述步驟2中，在襯底表面還直接沉積催化劑。
3.如權利要求2所述的制備石墨烯的方法，其特征在于，所述CBr4和催化劑的沉積方式為同時沉積、按任意次序先后沉積或按任意次序交替沉積一次以上，所述各沉積方式中CBr4總的沉積量為3.8E7-3.8E9分子/μm2，催化劑總的沉積量為1.7E7-1.7E9原子/μm2。
4.如權利要求3所述的制備石墨烯的方法，其特征在于，所述沉積CBr4和催化劑的方法為分子束外延或者化學氣相沉積。
5.如權利要求4所述的制備石墨烯的方法，其特征在于，所述CBr4和催化劑的沉積溫度為10-600℃。
6.如權利要求5所述的制備石墨烯的方法，其特征在于，所述催化劑為Ga。
7.如權利要求6所述的制備石墨烯的方法，其特征在于，沉積時Ga爐的溫度為800-1200℃，CBr4的壓強為0.08-0.15Torr。
8.如權利要求1所述的制備石墨烯的方法，其特征在于，所述襯底材料選自金屬、半導體或絕緣體。
9.如權利要求8所述的制備石墨烯的方法，其特征在于，所述襯底材料選自硅、鍺、氧化硅和藍寶石。
10.如權利要求1所述的制備石墨烯的方法，其特征在于，所述退火處理的方法為：將溫度升至650-720℃退火，退火時間為5-180分鐘，結束后，將襯底溫度降至室溫。
11.如權利要求1所述的制備石墨烯的方法，其特征在于，在所述步驟(1)前，所述襯底材料還需要作脫氧和退火處理。
12.如權利要求11所述的制備石墨烯的方法，其特征在于，襯底材料的脫氧溫度為400-700℃，襯底材料的退火處理的溫度為600-750℃。
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