[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及增大半導(dǎo)體器件的有源區(qū)的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210120683.5
• 申請日: 2012-04-23
• 公開（公告）號: CN102751328A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅希特·迪克西特;M·L·萊因海默;邁克爾·D.·格林哈根;約瑟夫·A.·葉季納科;T·彼得森;里圖·蘇迪希;丹·金策;克里斯托弗·L.·雷克塞爾;弗雷德·塞西諾
• 申請（專利權(quán)）人: 快捷半導(dǎo)體（蘇州）有限公司;快捷半導(dǎo)體公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11270
• 代理人: 武晨燕;張穎玲

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體區(qū)，其包括：

柵結(jié)構(gòu)；以及

源區(qū)，其中，所述源區(qū)的至少一部分與所述柵結(jié)構(gòu)橫向偏離；

第一金屬層，其連接到所述源區(qū)；以及

第二金屬層，其連接到所述柵結(jié)構(gòu)；

其中，所述第一金屬層和所述第二金屬層的至少一部分縱向重疊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵結(jié)構(gòu)包括柵道。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵結(jié)構(gòu)包括柵焊墊。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括：

多晶硅柵總線，其與所述柵焊墊縱向偏離；以及

配合通孔，其將所述多晶硅柵總線連接到所述柵焊墊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二金屬層的至少一部分在所述第一金屬層的至少一部分上橫向延伸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括金屬間電介質(zhì)(IMD)，所述IMD被配置為至少部分地將所述第一金屬層與所述第二金屬層隔離。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二金屬層的至少一部分在所述源區(qū)的至少一部分上橫向延伸。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體區(qū)進(jìn)一步包括：

漏區(qū)；

第一表面，其包括所述柵結(jié)構(gòu)；以及

第二表面，其與所述第一表面大體上相對，所述第二表面包括所述漏區(qū)；

其中，所述源區(qū)從所述第一表面延伸到所述第二表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一表面包括所述半導(dǎo)體區(qū)的工作頂面；

其中，所述柵結(jié)構(gòu)包括形成在所述半導(dǎo)體區(qū)的所述第一表面上的多晶硅柵；并且

其中，所述源區(qū)形成在所述半導(dǎo)體區(qū)的所述第一表面中。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件包括雙層金屬(DLM)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)，所述雙層金屬(DLM)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)包括雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)器件，所述DMOS器件包括具有多個源區(qū)的有源溝槽陣列；并且

其中，所述第二金屬層被配置為連接到所述多個源區(qū)中的多于一個源區(qū)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一金屬層和所述第二金屬層的所述縱向重疊的部分被配置為針對所述第一金屬層在所述半導(dǎo)體器件中提供增大的有源區(qū)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一金屬層的至少一部分比所述第二金屬層薄。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括分段的多晶硅柵總線，其與所述第一金屬層的至少一部分縱向偏離，所述分段的多晶硅柵總線被配置為允許使用通孔選擇性地連接到柵道。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括掩埋柵總線，其與所述第二金屬層的至少一部分縱向偏離，使用金屬間電介質(zhì)(IMD)與所述第二金屬層至少部分隔絕，并且使用至少一個通孔連接到所述第一金屬層。

15.一種增大半導(dǎo)體器件的有源區(qū)的方法，所述半導(dǎo)體器件包括與柵結(jié)構(gòu)至少部分地橫向偏離的源區(qū)，所述方法包括：

提供連接到所述源區(qū)的第一金屬層；以及

提供至少部分地與所述第一金屬層縱向重疊的第二金屬層，所述第二金屬層連接到所述柵結(jié)構(gòu)。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，包括：

提供與所述柵結(jié)構(gòu)的柵焊墊縱向偏離的多晶硅柵總線；以及

使用配合通孔將所述多晶硅柵總線連接到所述柵焊墊。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，提供至少部分地與所述第一金屬層縱向重疊的第二金屬層包括：提供所述第二金屬層的橫于所述源區(qū)的至少一部分之上的至少一部分。