[發明專利]用于形成薄膜的大容量沉積設備

無效

• 申請號: 201210120364.4
• 申請日: 2012-04-13
• 公開（公告）號: CN102732843A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 宋基哲;趙晃新;鄭勝哲;安佑正
• 申請（專利權）人: 韓商SNU精密股份有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 聞卿

1.一種用于形成薄膜的大容量沉積設備，所述設備包含：

多個源容器，待沉積于襯底上的源材料以固態或液態容納于所述多個源容器中；

蒸發室，所述蒸發室在所述源容器上方與所述源容器耦合并連通，并且來自所述源容器的已蒸發源材料穿過所述蒸發室；

噴孔，所述噴孔形成于所述蒸發室的頂部上并向上噴射穿過所述蒸發室的所述已蒸發源材料；

第一加熱器，所述第一加熱器在所述蒸發室內部提供于所述源容器上方并供熱給所述源容器以蒸發容納于所述源容器中的所述源材料；

傳感器，所述傳感器安裝在所述蒸發室中并感測穿過所述蒸發室的已蒸發源材料的量；和

控制器，所述控制器從所述傳感器獲得關于所述蒸發室中的已蒸發源材料的量的反饋并控制從所述源容器蒸發的源材料的量。

2.一種用于形成薄膜的大容量沉積設備，所述設備包含：

多個源容器，待沉積于襯底上的源材料以固態或液態容納于所述多個源容器中；

蒸發室，所述蒸發室在所述源容器上方與所述源容器耦合并連通，并且來自所述源容器的已蒸發源材料穿過所述蒸發室；

噴孔，所述噴孔形成于所述蒸發室的頂部上并向上噴射穿過所述蒸發室的所述已蒸發源材料；

第一加熱器，所述第一加熱器在所述蒸發室內部提供于所述源容器上方并供熱給所述源容器以蒸發容納于所述源容器中的所述源材料；

多個傳感器，所述多個傳感器安裝在所述源容器中并感測從所述源容器流出的已蒸發源材料的量；和

控制器，所述控制器從所述傳感器獲得關于所述源容器中的已蒸發源材料的量的反饋并控制從所述源容器蒸發的源材料的量。

3.一種用于形成薄膜的大容量沉積設備，所述設備包含：

多個源容器，待沉積于襯底上的源材料以固態或液態容納于所述多個源容器中；

蒸發室，所述蒸發室在所述源容器上方與所述源容器耦合并連通，并且來自所述源容器的已蒸發源材料穿過所述蒸發室；

噴孔，所述噴孔形成于所述蒸發室的頂部上并向上噴射穿過所述蒸發室的所述已蒸發源材料；

多個第一加熱器，所述多個第一加熱器提供于所述源容器中并供熱給所述源容器以蒸發容納于所述源容器中的所述源材料；

傳感器，所述傳感器安裝在所述蒸發室中并感測穿過所述蒸發室的已蒸發源材料的量；和

控制器，所述控制器從所述傳感器獲得關于所述蒸發室中的已蒸發源材料的量的反饋并控制從所述源容器蒸發的源材料的量。

4.一種用于形成薄膜的大容量沉積設備，所述設備包含：

多個源容器，待沉積于襯底上的源材料以固態或液態容納于所述多個源容器中；

蒸發室，所述蒸發室在所述源容器上方與所述源容器耦合并連通，并且來自所述源容器的已蒸發源材料穿過所述蒸發室；

噴孔，所述噴孔形成于所述蒸發室的頂部上并向上噴射穿過所述蒸發室的所述已蒸發源材料；

多個第一加熱器，所述多個第一加熱器提供于所述源容器中并供熱給所述源容器以蒸發容納于所述源容器中的所述源材料；

多個傳感器，所述多個傳感器安裝在所述源容器中并感測從所述源容器流出的已蒸發源材料的量；和

控制器，所述控制器從所述傳感器獲得關于所述源容器中的已蒸發源材料的量的反饋并控制從所述源容器蒸發的源材料的量。

5.根據權利要求1至4中任一權利要求所述的設備，其特征在于，所述設備進一步包含多個傳送單元，所述多個傳送單元分別耦合到所述源容器并在變得靠近所述第一加熱器或變得遠離所述第一加熱器的方向上傳送所述源容器中的所述源材料。

6.根據權利要求5所述的設備，其特征在于，所述控制器從所述傳感器獲得關于已蒸發源材料的所述量的反饋，并且如果已蒸發源材料的所述量低于預設參考量，所述控制器就傳輸信號到所述傳送單元以使得所述源材料可以在變得靠近所述第一加熱器的方向上傳送，或者所述控制器傳輸用于升高所述第一加熱器的溫度的信號，并且如果已蒸發源材料的所述量高于預設參考量，所述控制器就傳輸信號到所述傳送單元以使得所述源材料可在變得遠離所述第一加熱器的方向上傳送，或者所述控制器傳輸用于降低所述第一加熱器的溫度的信號。