[發(fā)明專利]硅酸鉿氮氧化合物制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210120226.6
• 申請(qǐng)日: 2012-04-23
• 公開（公告）號(hào): CN103377874A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳逸男;徐文吉;葉紹文;劉獻(xiàn)文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種硅酸鉿氮氧化合物制作方法，其特征在于，包含以下步驟：

(a)以原子層沉積法，形成氮化鉿層；

(b)以原子層沉積法，沉積氧化硅層在所述氮化鉿層上；以及

(c)重復(fù)以上(a)～(b)步驟，以交互沉積的方式，形成所述氮化鉿層與所述氧化硅層，以完成所述硅酸鉿氮氧化合物，其中所述硅酸鉿氮氧化合物的Hf/(Hf+Si)含量比值介于0.4～0.6之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅酸鉿氮氧化合物制作方法，其特征在于所述硅酸鉿氮氧化合物是形成在基板上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅酸鉿氮氧化合物制作方法，其特征在于所述沉積氮化鉿層的方法包括依次進(jìn)行：

在腔體內(nèi)，通入第一前驅(qū)物；

在所述腔體內(nèi)，通入惰性氣體；

在所述腔體內(nèi)，通入氨氣；以及

在所述腔體內(nèi)，再次通入所述惰性氣體。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅酸鉿氮氧化合物制作方法，其特征在于所述第一前驅(qū)物為四雙(乙基甲基氨基)鉿。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅酸鉿氮氧化合物制作方法，其特征在于所述惰性氣體為氬氣。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅酸鉿氮氧化合物制作方法，其特征在于所述沉積氧化硅層的方法包括依次進(jìn)行：

在腔體內(nèi)，通入第二前驅(qū)物；

在所述腔體內(nèi)，通入惰性氣體；

在所述腔體內(nèi)，通入臭氧；以及

在所述腔體內(nèi)，再次通入所述惰性氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅酸鉿氮氧化合物制作方法，其特征在于所述第二前驅(qū)物為四雙(乙基甲基氨基)硅。