[發(fā)明專利]電感耦合等離子體處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210119474.9 | 申請日: | 2012-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN102751157A | 公開(公告)日: | 2012-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 佐佐木和男;東條利洋 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 王軼;尹文會 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電感 耦合 等離子體 處理 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及對制造液晶顯示裝置(LCD)等平板顯示器(FPD)用的玻璃基板等基板實(shí)施等離子體處理的電感耦合等離子體處理裝置。
背景技術(shù)
在液晶顯示裝置(LCD)等的制造工序中,為了對玻璃基板實(shí)施規(guī)定的處理,而使用等離子體蝕刻裝置、等離子體CVD成膜裝置等各種等離子體處理裝置。作為這樣的等離子體處理裝置,以往雖大多使用電容耦合等離子體處理裝置,但在近一段時間,具有能夠獲取高密度的等離子體這樣大的優(yōu)點(diǎn)的電感耦合等離子體(Inductively?Coupled?Plasma:ICP)處理裝置引起人們的關(guān)注。
電感耦合等離子體處理裝置是通過在收容被處理基板的處理室的電介質(zhì)窗的外側(cè)配置高頻天線,向處理室內(nèi)供給處理氣體、并且向該高頻天線供給高頻電力,以在處理室內(nèi)產(chǎn)生電感耦合等離子體,并利用該電感耦合等離子體對被處理基板實(shí)施規(guī)定的等離子體處理的裝置。作為電感耦合等離子體處理裝置的高頻天線,大多使用呈平面狀的規(guī)定圖案的平面天線。作為公知例,存在專利文獻(xiàn)1。
近一段時間,被處理基板的尺寸趨向大型化。例如,若以LCD用的矩形狀玻璃基板為例,短邊×長邊的長度從約1500mm×約1800mm的尺寸向約2200mm×約2400mm的尺寸、甚至向約2800mm×約3000mm的尺寸發(fā)展的大型化顯著。
電感耦合等離子體處理裝置使電介質(zhì)窗介于高頻天線與處理室內(nèi)的等離子體生成區(qū)域之間。如果被處理基板大型化,則電介質(zhì)窗也隨之大型化。電介質(zhì)窗如專利文獻(xiàn)1中所記載的那樣,一般使用石英玻璃、或者陶瓷。
但是,石英玻璃、陶瓷質(zhì)脆,不適合大型化。因此,例如,如專利文獻(xiàn)2所記載的那樣,通過分割石英玻璃來應(yīng)對電介質(zhì)窗的大型化。
然而,被處理基板的大型化格外顯著。因此,專利文獻(xiàn)2所記載的分割電介質(zhì)窗的方法,應(yīng)對大型化也變得困難。
因此,通過將電介質(zhì)窗替換為金屬窗來增大強(qiáng)度,以應(yīng)對被處理基板的大型化的技術(shù)被記載在專利文獻(xiàn)3中。
專利文獻(xiàn)1:日本專利第3077009號公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本專利第3609985號公報(bào)
專利文獻(xiàn)3:日本特開2011-29584號公報(bào)
在專利文獻(xiàn)3中,能夠應(yīng)對被處理基板的大型化。但是,由于金屬窗中的等離子體產(chǎn)生的機(jī)理與電介質(zhì)窗的情況不同,所以關(guān)于金屬窗的大型化另存在其它的問題,例如,存在如下情況、即:環(huán)金屬窗的渦流朝與電流的流動的方向垂直的方向擴(kuò)散(以下,僅稱“渦流的擴(kuò)散”。),處理室內(nèi)的等離子體分布的控制性變得困難。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述的情況而提出的,提供了一種電感耦合等離子體處理裝置,該電感耦合等離子體處理裝置能夠?qū)?yīng)被處理基板的大型化,并且能夠使得處理室內(nèi)的等離子體分布的控制性良好。
為了解決上述課題,本發(fā)明的第一方式的電感耦合等離子體處理裝置在處理室內(nèi)的等離子體生成區(qū)域產(chǎn)生電感耦合等離子體,來對基板進(jìn)行等離子體處理,該電感耦合等離子體處理裝置具備:用于在上述等離子體生成區(qū)域產(chǎn)生上述電感耦合等離子體的高頻天線;以及配置于上述等離子體生成區(qū)域與上述高頻天線之間的金屬窗,上述金屬窗被進(jìn)行第一分割以及第二分割,所謂所述第一分割,將上述金屬窗沿該金屬窗的周向相互電絕緣地分割為兩個以上,所謂所述第二分割,將被進(jìn)行了上述被第一分割后的金屬窗沿與上述周向交叉的方向相互電絕緣地分割。
另外,本發(fā)明的第二方式的電感耦合等離子體處理裝置在處理室內(nèi)的等離子體生成區(qū)域產(chǎn)生電感耦合等離子體,來對基板進(jìn)行等離子體處理,電感耦合等離子體處理裝置具有:用于在上述等離子體生成區(qū)域產(chǎn)生上述電感耦合等離子體的高頻天線;以及其配置于上述等離子體生成區(qū)域與上述高頻天線之間的金屬窗,上述金屬窗沿與該金屬窗的周向交叉的方向被分割、并且沿著與上述周向交叉的方向被分割后的金屬窗被進(jìn)行第一劃分,所謂所述第一劃分,利用設(shè)置于該金屬窗的狹縫,將沿著與上述周向交叉的方向被分割后的金屬窗沿上述周向劃分為兩個以上的區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明,能夠提供一種電感耦合等離子體處理裝置,該電感耦合等離子體處理裝置能夠?qū)?yīng)被處理基板的大型化,并且能夠使得處理室內(nèi)的等離子體分布的控制性良好。
附圖標(biāo)記的說明如下:
1:主體容器,3:金屬窗,4:天線室,5:處理室,6:支承棚,7:支承梁,11:高頻天線,16:載置臺,28:絕緣體。
附圖說明
圖1是概略性地示出本發(fā)明的第一實(shí)施方式的電感耦合等離子體處理裝置的剖視圖。
圖2是用于說明等離子體生成原理的示意圖。
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